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J-GLOBAL ID:200903054311508596
太陽電池
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
野河 信太郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000009309
Publication number (International publication number):2001203376
Application date: Jan. 18, 2000
Publication date: Jul. 27, 2001
Summary:
【要約】【課題】 薄膜セルを用いることなく出力特性及び耐放射線性が改善された太陽電池を提供することを目的とする。【解決手段】 半導体基板10の受光面側にPN接合を有し、裏面上にパッシベーション膜18を有する太陽電池であって、受光面の表面にP型不純物拡散層11とP型不純物拡散層11に接続されたP電極12、N型不純物拡散層13とN型不純物拡散層13に接続されたN電極14とを有している太陽電池。
Claim (excerpt):
第1導電型半導体基板の受光面側にPN接合を有し、裏面上にパッシベーション膜を有する太陽電池であって、受光面にP型不純物拡散層及び該P型不純物拡散層に接続されたP電極、N型不純物拡散層及び該N型不純物拡散層に接続されたN電極を有していることを特徴とする太陽電池。
FI (3):
H01L 31/04 A
, H01L 31/04 H
, H01L 31/04 F
F-Term (13):
5F051AA02
, 5F051BA02
, 5F051BA18
, 5F051DA03
, 5F051DA20
, 5F051EA18
, 5F051FA14
, 5F051FA16
, 5F051FA17
, 5F051FA19
, 5F051FA24
, 5F051GA14
, 5F051HA07
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (11)
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結晶シリコン太陽電池
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-118001
Applicant:シャープ株式会社
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太陽電池素子とその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-231674
Applicant:株式会社日立製作所
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太陽電池セル
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-322451
Applicant:シャープ株式会社
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太陽電池の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-330381
Applicant:シャープ株式会社
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特開昭52-002389
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特開昭53-055994
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特開昭53-052391
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特開昭53-033592
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特開昭62-237766
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光電変換素子およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-316817
Applicant:シャープ株式会社
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僅かなシェージングを有する太陽電池およびその製造方法
Gazette classification:公表公報
Application number:特願平10-525126
Applicant:シーメンスソーラーゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング
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