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J-GLOBAL ID：200903054328212372

磁気抵抗効果膜および磁気抵抗効果型ヘッド

Inventor：
佐野 正志

About 佐野 正志

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土屋 芳弘

About 土屋 芳弘

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荒木 悟

About 荒木 悟

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森田 治幸

About 森田 治幸


Applicant, Patent owner：
ティーディーケイ株式会社

About ティーディーケイ株式会社


Agent (1)： 皿田 秀夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998199801
Publication number (International publication number)：2000022239
Application date： Jun. 30, 1998
Publication date： Jan. 21, 2000
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 反強磁性層としてPtMnやNiMn、ならびにこれらの合金系を用いた場合において、強磁性層と反強磁性層との交換結合エネルギーが大きく、MR変化率(MR Ratio)が大きく、スピンバルブ膜特性に極めて優れる磁気抵抗効果膜および磁気抵抗効果型ヘッドを提供する。【解決手段】 非磁性金属層30と、非磁性金属層の一方の面に形成された強磁性層40と、非磁性金属層の他方の面に形成された軟磁性層20と、前記強磁性層の磁化の向きをピン止めするために、強磁性層の非磁性金属層と接する面と反対側の面に形成された反強磁性層50と、反強磁性層の強磁性層と接する面と反対側の面に形成された反強磁性化プロモ-ト層19と、を有する多層膜を備えてなるスピンバルブ型の磁気抵抗効果膜2であって、前記反強磁性層は、CuAu-I型の規則結晶構造をもつMn含有化合物からなり、当該反強磁性層は、前記強磁性層との交換結合を生じさせる。
Claim (excerpt)：
非磁性金属層と、非磁性金属層の一方の面に形成された強磁性層と、非磁性金属層の他方の面に形成された軟磁性層と、前記強磁性層の磁化の向きをピン止めするために、強磁性層の非磁性金属層と接する面と反対側の面に形成された反強磁性層と、反強磁性層の強磁性層と接する面と反対側の面に形成された反強磁性化プロモ-ト層と、を有する多層膜を備えてなるスピンバルブ型の磁気抵抗効果膜であって、前記反強磁性層は、CuAu-I型の規則結晶構造をもつMn含有化合物からなり、当該反強磁性層は、前記強磁性層との交換結合を生じさせるために、熱処理操作を必要とする特性を有し、かつ、当該熱処理操作後の前記反強磁性層は、膜面に(110)結晶面が配向している状態を有していることを特徴とする磁気抵抗効果膜。
IPC (3)：
H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/30
FI (3)：
H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/30
F-Term (12)：
5D034BA05 ,  5D034CA08 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049AA10 ,  5E049AC00 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5E049DB04 ,  5E049DB12
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (11)
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Cited by examiner (2)

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