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J-GLOBAL ID：200903012395575965

GaN単結晶基板の製造方法及びGaN単結晶基板

Inventor：
笠井 仁

About 笠井 仁

, 
元木 健作

About 元木 健作


Applicant, Patent owner：
住友電気工業株式会社

About 住友電気工業株式会社


Agent (1)： 川瀬 茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004276337
Publication number (International publication number)：2005298319
Application date： Sep. 24, 2004
Publication date： Oct. 27, 2005
Summary：
【課題】 (0001)ジャストでなくて(0001)からずれた結晶方位を有するオフ角のGaN単結晶自立基板をより低コストで作製すること。【解決手段】 オフ角の(111)GaAsウエハを下地基板として、その上にGaNを気相成長させると下地基板と同じオフ角で同じ方向に傾斜しているGaN結晶が成長する。また、オフ角度を有する(111)GaAs基板を下地基板として用い、その上に複数の窓を有するマスクを形成し、その上からGaN単結晶層を成長した後、下地基板を除去して、オフ角度を有するGaN自立基板を作製してもよい。0.1 ゚〜25 ゚のオフ角をもつGaN結晶を製造することができる。【選択図】図4
Claim (excerpt)：
オフ角度を有する(111)GaAs基板を下地基板として用い、その上にGaN単結晶層を成長した後、下地基板を除去して、オフ角度を有するGaN自立基板を作製することを特徴とするGaN単結晶基板の製造方法。
IPC (3)：
C30B29/38 ,  C30B25/18 ,  H01L33/00
FI (3)：
C30B29/38 D ,  C30B25/18 ,  H01L33/00 C
F-Term (25)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB04 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE07 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TB02 ,  4G077TC13 ,  4G077TC16 ,  4G077TK01 ,  4G077TK06 ,  4G077TK11 ,  5F041AA40 ,  5F041AA41 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA40 ,  5F041CA64 ,  5F041CA65
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (11)
  • 特願平9-298300
  • 半導体ウェハ及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-336984   Applicant：日立電線株式会社
  • 窒化物半導体素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-285406   Applicant：日亜化学工業株式会社
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Cited by examiner (5)
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