半導体装置の作製方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009177524
Publication number (International publication number)：2009260378
Application date： Jul. 30, 2009
Publication date： Nov. 05, 2009
Summary：

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成することで、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置及びその作製方法を提供することを目的とする。【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第1の導電膜及び第2の導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少なくとも結晶化した領域を有する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上にゲート電極を形成し、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、フッ素または塩素を含むガスを用いて前記酸化物半導体膜をプラズマエッチングして、薄膜トランジスタのチャネル領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (5)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/28 , G02F 1/136 , G09F 9/30

FI (5)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 627C , H01L21/28 301B , G02F1/1368 , G09F9/30 338

F-Term (129)：

2H092GA59 , 2H092JA26 , 2H092JA28 , 2H092JA36 , 2H092JA46 , 2H092JB57 , 2H092JB58 , 2H092KA12 , 2H092KA18 , 2H092KA24 , 2H092MA05 , 2H092MA15 , 2H092MA18 , 2H092MA29 , 2H092MA30 , 2H092MA35 , 2H092NA21 , 2H092NA27 , 2H092PA06 , 4M104AA03 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104BB36 , 4M104BB39 , 4M104BB40 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD51 , 4M104DD52 , 4M104DD64 , 4M104DD65 , 4M104EE03 , 4M104EE14 , 4M104EE16 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5C094AA21 , 5C094AA42 , 5C094AA43 , 5C094AA44 , 5C094BA03 , 5C094BA27 , 5C094BA43 , 5C094BA75 , 5C094CA19 , 5C094DA13 , 5C094FB02 , 5C094FB05 , 5C094FB14 , 5C094GB10 , 5F110AA01 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110DD24 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE42 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF22 , 5F110FF26 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG15 , 5F110GG22 , 5F110GG24 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK17 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK33 , 5F110HL07 , 5F110NN02 , 5F110NN03 , 5F110NN12 , 5F110NN16 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP05 , 5F110PP10 , 5F110PP13 , 5F110PP29 , 5F110QQ06 , 5F110QQ09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-266012 Applicant：科学技術振興事業団, 太田裕道
ドライエッチング方法、半導体装置の製造方法、及び液晶表示装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-249467 Applicant：三洋電機株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-077131 Applicant：三洋電機株式会社

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Cited by examiner (6)

ドライエッチング方法、半導体装置の製造方法、及び液晶表示装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-249467 Applicant：三洋電機株式会社
ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-266012 Applicant：科学技術振興事業団, 太田裕道
半導体素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-223042 Applicant：ミノルタ株式会社

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