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J-GLOBAL ID：200903054881313306

半導体装置とその製造方法

Inventor： 迫田 恒久 ,  杉山 芳弘 ,  山口 正臣 ,  南方 浩志
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (2)： 高橋 敬四郎 ,  来山 幹雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004238211
Publication number (International publication number)：2005210060
Application date： Aug. 18, 2004
Publication date： Aug. 04, 2005
Summary：

【課題】 ゲート絶縁膜として、酸化シリコン換算膜厚が薄く、ヒステリシスが小さく、フラットバンド電圧の変化ΔVfbが小さな酸化物高誘電率絶縁膜を有する半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体装置は、シリコン基板と、前記シリコン基板表面に形成された酸化シリコン層と、前記酸化シリコン層上方に形成された酸化シリコンより高い誘電率を有する高誘電率膜の第1酸化物層と、前記第1酸化物層の上方に酸素遮蔽能を有する窒化物で形成された第1窒化物層と、前記第1窒化物層上方に形成されたゲート電極と、を有する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

シリコン基板と、 前記シリコン基板表面に形成された酸化シリコン層と、 前記酸化シリコン層上方に形成された酸化シリコンより高い誘電率を有する高誘電率膜の第1酸化物層と、 前記第1酸化物層の上方に酸素遮蔽能を有する窒化物で形成された第1窒化物層と、 前記第1窒化物層上方に形成されたゲート電極と、 を有する半導体装置。

IPC (5)：

H01L29/78 ,  H01L21/316 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

FI (4)：

H01L29/78 301G ,  H01L21/316 M ,  H01L27/08 321D ,  H01L21/88 R

F-Term (83)：

5F033HH11 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK04 ,  5F033KK11 ,  5F033KK33 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR14 ,  5F033TT02 ,  5F033TT04 ,  5F033UU05 ,  5F048AA01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB13 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048BF11 ,  5F048BF12 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048BG13 ,  5F048DA23 ,  5F058BA20 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD10 ,  5F058BD12 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BH04 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA06 ,  5F140AA24 ,  5F140AA39 ,  5F140AB03 ,  5F140BA01 ,  5F140BD02 ,  5F140BD04 ,  5F140BD11 ,  5F140BD17 ,  5F140BE02 ,  5F140BE07 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF07 ,  5F140BF08 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BG08 ,  5F140BH14 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140CA02 ,  5F140CA03 ,  5F140CA06 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CC01 ,  5F140CC05 ,  5F140CC08

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-088915   Applicant：三菱電機株式会社
• アルミニウムをドープしたジルコニウム誘電体膜のトランジスタ構造およびその堆積方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-215186   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-395734   Applicant：松下電器産業株式会社
• 化学気相成長法による膜堆積装置および膜堆積方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-206513   Applicant：株式会社堀場製作所
• 半導体装置、相補型半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-077055   Applicant：富士通株式会社

Cited by examiner (1)

• 高誘電率誘電体膜、MOS型電界効果トランジスタ、及び半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-417636   Applicant：日本電気株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• The Influence of Silicon Nitride Cap on NBTI and Fermi Pinning in HfO2 Gate Stacks