高品質ホモエピタキシ用微傾斜窒化ガリウム基板

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：稲葉良幸 , 大賀眞司 , 大貫敏史
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2006539971
Publication number (International publication number)：2007534159
Application date： Nov. 12, 2004
Publication date： Nov. 22, 2007
Summary：

【数1】方向または【数2】方向に主に向かう<0001>方向から、約0.2〜約10度の範囲のオフカット角度でオフカットされた(0001)表面を含むIII-V族窒化物、例えばGaN基板。表面が50×50μm2AFM走査により測定された1nm未満のRMS粗さと、3E6cm-2未満の転位密度とを有する。この基板は相当するブールまたはウェハブランクのオフカットスライスにより、オフカットラッピングまたは相当する微傾斜へテロエピタキシャル基板、例えばオフカットサファイア上の基板本体の成長により形成することができる。この基板はIII-V族窒化物系超小型電子および光電子デバイスの作製におけるホモエピタキシャル蒸着に有用に用いられる。

Claim (excerpt)：

方向からなる群から選択される方向に主に向かう<0001>方向から、約0.2〜約10度の範囲のオフカット角度でオフカットされたGaN(0001)表面を含み、前記表面が50×50μm2AFM走査により測定された1nm未満のRMS粗さと、3E6cm-2未満の転位密度とを有するGaN基板。

IPC (2)：

H01L 21/205 , C30B 29/38

FI (2)：

H01L21/205 , C30B29/38 D

F-Term (22)：

4G077AA02 , 4G077AB01 , 4G077AB02 , 4G077BE15 , 4G077FG12 , 4G077FG13 , 4G077FG16 , 4G077GA02 , 4G077GA03 , 4G077HA12 , 5F045AA03 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045BB12 , 5F045BB16 , 5F045CA07 , 5F045CA09 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F045DA61

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

オプトエレクトロニクスデバイスおよびエレクトロニクスデバイス用窒化アルミニウム、インジウム、ガリウム((Al,In,Ga)N)自立基板のエピタキシー品質(表面凹凸および欠陥密度)の改良を実現する方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2002-505658 Applicant：アドバンスド.テクノロジー.マテリアルス.インコーポレイテッド
GaN単結晶基板、窒化物系半導体エピタキシャル基板、窒化物系半導体素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-137722 Applicant：住友電気工業株式会社, インスティテュートオブマテリアルズリサーチアンドエンジニアリング
窒化物系半導体素子および窒化物系半導体基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-192721 Applicant：三洋電機株式会社

Show all

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Preparation of large freestanding GaN substrates by hydride vapor phase epitaxy using GaAs as a star

Return to Previous Page