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J-GLOBAL ID：200903082948715653

GaN系化合物半導体エピウェハ及びそれを用いた半導体素子

Inventor：
伴 雄三郎

About 伴 雄三郎


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (1)： 前田 弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002161782
Publication number (International publication number)：2003060318
Application date： Jun. 03, 2002
Publication date： Feb. 28, 2003
Summary：
【要約】【課題】 オフ角を持つGaN系化合物半導体エピウェハにおけるエピタキシャル層(素子層)に高品質な結晶性を得られるようにする。【解決手段】 六方晶系に属する第1の窒化物半導体からなる基板11と、該基板11の主面上に成長により形成され、半導体素子を形成するための六方晶系に属する第2の窒化物半導体からなる素子層12とを有している。基板11の主面の面方位は(0001)面から晶帯軸の<1-100>方向にオフ角を有し、素子層12は、該オフ角の方向に対してほぼ平行に延びる縞状の表面形態を有している。
Claim (excerpt)：
六方晶系に属する第1の窒化物半導体からなる基板と、前記基板の主面上に成長により形成され、半導体素子を形成するための六方晶系に属する第2の窒化物半導体からなる素子層とを備え、前記基板の主面の面方位は、(0001)面から一の方向にオフ角を有し、前記素子層は、前記一の方向に対してほぼ平行に延びる縞状の表面形態を有していることを特徴とするGaN系化合物半導体エピウェハ。
F-Term (8)：
5F073AA11 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073DA32 ,  5F073EA28
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
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