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J-GLOBAL ID:200903055422926695

質量分析用基板、その製造方法および質量分析測定装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 渡辺 徳廣
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006290482
Publication number (International publication number):2008107209
Application date: Oct. 25, 2006
Publication date: May. 08, 2008
Summary:
【課題】広範囲な分子量の物質を高精度で簡単に質量分析することができる質量分析用基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】レーザー脱離イオン化質量分析に用いる質量分析用の基板であって、基板上に配列したワイヤ状の金属からなるワイヤ状金属層を有する質量分析用基板。基板上に、チューブ状のメソ細孔が実質的に一方向に配向して設けられているメソポーラスシリカ薄膜を形成する工程と、該チューブ状の細孔内に金属を導入する工程と、金属を導入しら後にシリカを除去する工程とを有する質量分析用基板の製造方法。【選択図】図6
Claim (excerpt):
レーザー脱離イオン化質量分析に用いる質量分析用の基板であって、基板上に配列したワイヤ状の金属からなるワイヤ状金属層を有することを特徴とする質量分析用基板。
IPC (3):
G01N 27/64 ,  G01N 27/62 ,  H01J 49/16
FI (3):
G01N27/64 B ,  G01N27/62 F ,  H01J49/16
F-Term (11):
2G041CA01 ,  2G041DA03 ,  2G041DA04 ,  2G041EA01 ,  2G041FA10 ,  2G041GA06 ,  2G041GA19 ,  2G041JA08 ,  5C038GG07 ,  5C038GG13 ,  5C038GH06
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
  • 米国特許第6288390号明細書
Cited by examiner (10)
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