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J-GLOBAL ID：200903055441616249

半導体センサチップおよびその製造方法、半導体センサチップを備えた半導体センサ

Inventor：
内田 真治

About 内田 真治

, 
上柳 勝道

About 上柳 勝道


Applicant, Patent owner：
富士電機株式会社

About 富士電機株式会社


Agent (1)： 谷 義一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000117072
Publication number (International publication number)：2001305152
Application date： Apr. 18, 2000
Publication date： Oct. 31, 2001
Summary：
【要約】【課題】 センシング特性に悪影響を与えず、かつシリコン基板表面に金属の引き出し配線を形成した場合に優れた密封性を有する、キャップを具備する半導体センサチップの提供。【解決手段】 シリコン基板に構成される物理量検出部と、該加速度検出部の可動によって検出した加速度を電気信号として伝達する配線部とを有してなる半導体加速度センサチップにおいて、前記加速度検出部と前記配線部の一部とを覆うシリコンキャップと、前記シリコンキャップおよび前記シリコン基板を隙間なく接合する接合層とを具備し、前記シリコンキャップは端部とくぼみ部と有し、かつ略コ字状断面を有し、前記接合層は前記加速度検出部から所定の離間距離を有する。
Claim (excerpt)：
シリコン基板に構成される物理量検出部と、該物理量検出部によって検出した物理量を電気信号として伝達する配線部とを有してなる半導体センサチップにおいて、前記物理量検出部と前記配線部の一部とを覆うシリコンキャップと、前記シリコンキャップの端部と前記シリコン基板とを隙間なく接合する接合層とを具備し、前記接合層は前記物理量検出部から所定の離間距離を有することを特徴とする半導体センサチップ。
IPC (4)：
G01P 15/08 ,  G01L 9/04 101 ,  G01P 15/12 ,  H01L 29/84
FI (4)：
G01L 9/04 101 ,  G01P 15/12 ,  H01L 29/84 A ,  G01P 15/08 P
F-Term (21)：
2F055AA40 ,  2F055BB20 ,  2F055CC60 ,  2F055DD05 ,  2F055EE14 ,  2F055FF38 ,  2F055FF43 ,  2F055GG01 ,  2F055GG12 ,  2F055GG25 ,  4M112AA02 ,  4M112BA01 ,  4M112CA24 ,  4M112CA26 ,  4M112CA30 ,  4M112DA16 ,  4M112DA18 ,  4M112EA03 ,  4M112EA13 ,  4M112EA14 ,  4M112GA01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-118646   Applicant：日本電装株式会社
  • 半導体加速度センサ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-058285   Applicant：日本電気株式会社
  • 気密封止電子部品
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-098159   Applicant：株式会社村田製作所
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