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J-GLOBAL ID：200903055484633384

窒化インジウム層の実現方法

Inventor： ジル,ベルナール ,  ブリオ,オリヴィエ,ジェラール,セルジュ ,  リュフナック,サンドラ ,  マレール,ベネディクト ,  クロワトル,ティエリ,ジョゼフ,ロラン ,  オロンバール,ロジェ-ルイ
Applicant, Patent owner： サントル ナショナル ドゥ ラ ルシェルシュ シアンティフィック(セーエヌエールエス) ,  ユニベルシテ モンペリエ ドゥー
Agent (1)： 太田 恵一
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2007531794
Publication number (International publication number)：2008513327
Application date： Sep. 14, 2005
Publication date： May. 01, 2008
Summary：

本発明は、電子工学、光学または光電子工学での応用を目的とする構造体に関するものであり、該構造体は、周期表の第II族の少なくとも一つの元素および/または周期表の第IV族の少なくとも一つの元素、および、N2で構成された合金(この合金はII-IV-N2と表記される)による、主として結晶質の層を含み、該構造体はさらに、InNの層を含んでいる。他方、本発明は窒化インジウム層の実現方法と、基板を形成するプレート、並びに、窒化インジウムの成長に該プレートを応用することにも関するものである。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

電子工学、光学または光電子工学での応用を目的とした構造体であり、周期表の第II族の少なくとも一つの元素、および/または、周期表の第IV族の少なくとも一つの元素、および、N2の合金(この合金はII-IV-N2と表記される)による層(2)を含んだ構造体であって、さらにInNの層(1)を含んでいることを特徴とする構造体。

IPC (6)：

C30B 29/38 ,  C30B 25/18 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/02

FI (6)：

C30B29/38 Z ,  C30B25/18 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 C ,  H01S5/02

F-Term (53)：

4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077DA05 ,  4G077DB08 ,  4G077EA02 ,  4G077ED04 ,  4G077EF02 ,  4G077EF03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077SA04 ,  4G077SC02 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TB05 ,  4G077TC06 ,  4G077TC14 ,  4G077TJ03 ,  4G077TK08 ,  4K030AA11 ,  4K030BA11 ,  4K030BA38 ,  4K030JA10 ,  4K030LA01 ,  4K030LA11 ,  5F041AA40 ,  5F041AA42 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA74 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB09 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AF01 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F173AH22 ,  5F173AH44 ,  5F173AP05 ,  5F173AP09 ,  5F173AP32 ,  5F173AP62 ,  5F173AQ04 ,  5F173AR82 ,  5F173AR94

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 米国特許第6284395号明細書
  
• 米国特許第6121639号明細書
  

Cited by examiner (3)

• 窒化物化合物半導体結晶の製造方法及び窒化物化合物半導体結晶並びに半導体デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-152853   Applicant：日立電線株式会社
• p型窒化物系III-V族化合物半導体の製造方法および半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-123131   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置および半導体発光デバイスの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-301368   Applicant：ゼロックスコーポレイション

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• ZnGeN2エピタキシャル薄膜の光学的特性
• マイクロ波励起リモートプラズマによる窒化インジウムエピタキシャル成長
• New Concepts and Preliminary Results for SIC Bipolar Transistors:ZnSiN, and ZnGeN, Heterojunction Em
• ELECTRONIC STRUCTURE AND RELATED PROPERTIES OF TETRAHEDRALLY BONDED WIDE-BAND-GAP MATERIALS CONTAINI