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J-GLOBAL ID：200903055764694095

半導体装置およびその製造方法

Inventor：
浅子 竜一

About 浅子 竜一


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 木村 満
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003038791
Publication number (International publication number)：2004247695
Application date： Feb. 17, 2003
Publication date： Sep. 02, 2004
Summary：
【課題】良好な密着性で、互いに特性の異なる積層された絶縁層を備える、信頼性の高い半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板12上に、MSQ等のSiOC系膜から構成される層間絶縁膜13を形成する。次いで、層間絶縁膜13上に、TMS等の有機シリコン化合物と、N2O等の酸化剤と、を出発物質とするCVDによって、ハードマスク14を形成する。CVD工程において、酸化剤の供給は、反応開始から所定期間行われ、その後停止される。これにより、SiOC系膜から構成される中間層14bと、SiC系膜から構成される表面層14aと、が形成される。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
第1の絶縁層と、 前記第1の絶縁層上に設けられた第2の絶縁層と、 前記第1の絶縁層と前記第2の絶縁層との間に設けられ、密着層としての第3の絶縁層と、 を備える、ことを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
H01L21/316 ,  H01L21/768
FI (2)：
H01L21/316 M ,  H01L21/90 J
F-Term (41)：
5F033GG00 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH33 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM08 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR09 ,  5F033RR11 ,  5F033RR21 ,  5F033RR23 ,  5F033RR24 ,  5F033RR25 ,  5F033RR29 ,  5F033SS03 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033XX12 ,  5F058BA10 ,  5F058BC02 ,  5F058BC08 ,  5F058BC11 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD15 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF29
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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