Pat
J-GLOBAL ID:200903055764694095
半導体装置およびその製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
木村 満
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003038791
Publication number (International publication number):2004247695
Application date: Feb. 17, 2003
Publication date: Sep. 02, 2004
Summary:
【課題】良好な密着性で、互いに特性の異なる積層された絶縁層を備える、信頼性の高い半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板12上に、MSQ等のSiOC系膜から構成される層間絶縁膜13を形成する。次いで、層間絶縁膜13上に、TMS等の有機シリコン化合物と、N2O等の酸化剤と、を出発物質とするCVDによって、ハードマスク14を形成する。CVD工程において、酸化剤の供給は、反応開始から所定期間行われ、その後停止される。これにより、SiOC系膜から構成される中間層14bと、SiC系膜から構成される表面層14aと、が形成される。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層上に設けられた第2の絶縁層と、
前記第1の絶縁層と前記第2の絶縁層との間に設けられ、密着層としての第3の絶縁層と、
を備える、ことを特徴とする半導体装置。
IPC (2):
FI (2):
H01L21/316 M
, H01L21/90 J
F-Term (41):
5F033GG00
, 5F033HH08
, 5F033HH11
, 5F033HH18
, 5F033HH33
, 5F033MM01
, 5F033MM02
, 5F033MM08
, 5F033MM12
, 5F033MM13
, 5F033PP15
, 5F033PP27
, 5F033QQ09
, 5F033QQ25
, 5F033QQ28
, 5F033QQ48
, 5F033RR01
, 5F033RR06
, 5F033RR08
, 5F033RR09
, 5F033RR11
, 5F033RR21
, 5F033RR23
, 5F033RR24
, 5F033RR25
, 5F033RR29
, 5F033SS03
, 5F033SS11
, 5F033SS15
, 5F033SS22
, 5F033XX12
, 5F058BA10
, 5F058BC02
, 5F058BC08
, 5F058BC11
, 5F058BD02
, 5F058BD04
, 5F058BD15
, 5F058BF07
, 5F058BF23
, 5F058BF29
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
-
半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-043242
Applicant:富士通株式会社
-
半導体素子の絶縁膜形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-090219
Applicant:株式会社ハイニックスセミコンダクター
-
半導体装置およびその製造方法、絶縁膜の形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-199737
Applicant:東京エレクトロン株式会社
Show all
Return to Previous Page