シリコン系組成物、低誘電率膜、半導体装置および低誘電率膜の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：土井健二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001084475
Publication number (International publication number)：2002284998
Application date： Mar. 23, 2001
Publication date： Oct. 03, 2002
Summary：

【要約】【課題】誘電率が小さく、酸やアルカリなどの耐薬品性および耐湿性にも優れた低誘電率膜、このような低誘電率膜を形成するためのシリコン系組成物、このような低誘電率膜を使用したデバイスの応答速度が速い半導体集積回路、およびこのような低誘電率膜の製造方法を提供する。【解決手段】シロキサン樹脂と、1分子中の主鎖中における、-X-結合[Xは(C)m(m=1〜3)または炭素数が9以下の、置換基を有していても良い芳香族基]を形成する炭素原子とケイ素原子との数比が、2/1〜12/1であり、実質的にケイ素と炭素と水素とよりなるシリコン化合物と、溶剤とを含む組成物を加熱処理して低誘電率膜を形成する。

Claim (excerpt)：

シロキサン樹脂と、1分子中の主鎖中における、-X-結合[Xは(C)m(m=1〜3)または炭素数が9以下の、置換基を有していても良い芳香族基]を形成する炭素原子とケイ素原子との数比が、2/1〜12/1であり、実質的にケイ素と炭素と水素とよりなるシリコン化合物と、溶剤とを含む組成物。

IPC (10)：

C08L 83/04 , C08J 9/26 CFH , C08J 9/26 102 , C08K 5/00 , C08L 83/16 , C09D183/04 , C09D183/16 , H01L 21/312 , H01L 21/316 , H01L 21/768

FI (11)：

C08L 83/04 , C08J 9/26 CFH , C08J 9/26 102 , C08K 5/00 , C08L 83/16 , C09D183/04 , C09D183/16 , H01L 21/312 C , H01L 21/316 G , H01L 21/90 P , H01L 21/90 S

F-Term (109)：

4F074AA24 , 4F074AA48 , 4F074AA61 , 4F074AA64 , 4F074AA65 , 4F074AA88 , 4F074AA90 , 4F074AD01 , 4F074AD12 , 4F074CB02 , 4F074CB16 , 4F074CB17 , 4F074CB34 , 4F074CC04Y , 4F074CC06Y , 4F074DA24 , 4F074DA47 , 4J002AA003 , 4J002BB123 , 4J002BG033 , 4J002CC033 , 4J002CD003 , 4J002CF003 , 4J002CP03W , 4J002CP21X , 4J002EA016 , 4J002EA027 , 4J002EC046 , 4J002ED026 , 4J002EE036 , 4J002EH156 , 4J002EJ017 , 4J002EU117 , 4J002FD206 , 4J002FD207 , 4J002GQ05 , 4J038DL031 , 4J038DL032 , 4J038DL051 , 4J038DL052 , 4J038DL071 , 4J038DL072 , 4J038KA06 , 4J038KA07 , 4J038LA02 , 4J038MA12 , 4J038NA17 , 4J038PA19 , 4J038PB09 , 4J038PC03 , 5F033HH10 , 5F033HH11 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033JJ19 , 5F033JJ33 , 5F033KK10 , 5F033KK11 , 5F033KK21 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM05 , 5F033MM08 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ12 , 5F033QQ25 , 5F033QQ35 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR23 , 5F033RR25 , 5F033RR29 , 5F033SS02 , 5F033SS04 , 5F033SS11 , 5F033SS15 , 5F033SS22 , 5F033TT03 , 5F033WW00 , 5F033WW03 , 5F033WW04 , 5F033WW09 , 5F033XX19 , 5F033XX24 , 5F033XX25 , 5F058AC03 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AG04 , 5F058AH02 , 5F058BC02 , 5F058BF27 , 5F058BF46 , 5F058BH01 , 5F058BH12 , 5F058BJ02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (22)

硬化性シルフェニレン系ポリマー組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-369564 Applicant：東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社
高耐熱絶縁電線
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-155912 Applicant：日立電線株式会社
樹脂組成物、その製造方法および成形物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-076094 Applicant：大阪瓦斯株式会社

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