トレンチ型絶縁ゲート半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：篠部正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004226308
Publication number (International publication number)：2006049455
Application date： Aug. 03, 2004
Publication date： Feb. 16, 2006
Summary：

【課題】トレンチ型IGBTのオン電圧をIEGT並みの低い状態のままで、スイッチング損失も低くし、トータルの発生損失を低減し、かつ高い素子耐圧が得られるトレンチ型絶縁ゲート半導体装置を提供すること。【解決手段】複数の第一トレンチがそれぞれ前記ベース層を挟む第一間隔と、第一間隔より広い第二間隔とを有し、第一間隔のベース層は第一導電型のソース領域を備え、エミッタ電極が前記ベース層と前記ソース領域との両表面に共通に接触し、第二間隔の前記ベース層は、オフ時の順電圧印加時に、第二間隔下のドリフト層に拡がる空乏層の等電位線と第一間隔下のドリフト層に拡がる空乏層の等電位線との共通平坦化手段を備えているトレンチ型絶縁ゲート半導体装置とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第一導電型のドリフト層と、このドリフト層の一方の表面内に形成される第二導電型のベース層と、前記ベース層の表面から形成され前記ドリフト層に達する深さであって内部にゲート酸化膜を介して埋設されたゲート電極を有する複数の第一トレンチを備えるトレンチ型絶縁ゲート半導体装置において、前記複数の第一トレンチが前記ベース層を挟む第一間隔と、第一間隔より広い第二間隔とを有し、第一間隔のベース層は、前記ベース層表面から第一トレンチ内壁面にかけて選択的に形成される第一導電型のソース領域を備え、エミッタ電極が前記ベース層と前記ソース領域との両表面に共通に接触し、第二間隔の前記ベース層は、オフ時の順電圧印加時に、第二間隔下の前記ドリフト層に拡がる空乏層の等電位線と第一間隔下の前記ドリフト層に拡がる空乏層の等電位線との共通平坦化手段を備えていることを特徴とするトレンチ型絶縁ゲート半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/78 , H01L 29/739 , H01L 29/06

FI (6)：

H01L29/78 655A , H01L29/78 652C , H01L29/78 652H , H01L29/78 652P , H01L29/78 653A , H01L29/78 654Z

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

電力用半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-231513 Applicant：株式会社東芝
トレンチ型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-028392 Applicant：富士電機株式会社
絶縁ゲート型半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-126016 Applicant：富士電機株式会社

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Cited by examiner (5)

絶縁ゲート型半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-126016 Applicant：富士電機株式会社
絶縁ゲート型半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-136794 Applicant：株式会社東芝
高電圧絶縁ゲートバイポーラスイッチ
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2002-533380 Applicant：ロックウェル・サイエンティフィック・ライセンシング・エルエルシー

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