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J-GLOBAL ID：200903055990778889

表面平坦化方法

Inventor：
大津 元一

About 大津 元一

, 
八井 崇

About 八井 崇


Applicant, Patent owner：
国立大学法人 東京大学

About 国立大学法人 東京大学


Agent (2)： 林 信之 ,  安彦 元
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007264481
Publication number (International publication number)：2009094345
Application date： Oct. 10, 2007
Publication date： Apr. 30, 2009
Summary：
【課題】数nmサイズの凹凸部を表面に有する基盤や薄膜を、原子レベルにまで平坦化することを目的とする。【解決手段】反応性ガスが導入されてなるチャンバ11内に基板12を配置する。反応性ガスを構成するガス分子を直接励起可能な波長帯域における吸収端波長よりも長波長からなる光を凸部21に照射する。凸部21に光を照射することによって凸部21の局所領域に発生する近接場光に基づき、非共鳴過程を経て反応性ガスを解離させて活性種を生成させる。活性化された活性種と凸部21とを化学反応させて反応生成物を生成させ、凸部21を除去する。光として、反応性ガスに対する非共鳴光を用いているため、凸部21の局所領域で発生する近接場光によってのみ、エッチングが進行する。また、近接場光の発生する凸部21が反応の進行に伴い除去され、自動的に平坦化の工程が終了する。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
基板表面又は基板上に積層されてなる薄膜表面に形成された凹部を平坦化する表面平坦化方法において、 原料ガスが導入されてなるチャンバ内に上記基板を配置し、 上記原料ガスのガス分子の吸収端波長よりも長波長からなる光を上記凹部に照射することによって、当該凹部の局所領域に近接場光を発生させ、 上記凹部に発生した近接場光に基づき、非共鳴過程を経て上記原料ガスを解離させて分解生成物を生成させ、 当該生成させた分解生成物を上記凹部内に堆積させることによって、上記凹部を平坦化すること を特徴とする表面平坦化方法。
IPC (4)：
H01L 21/302 ,  H01L 21/205 ,  C23C 16/48 ,  G03F 1/08
FI (4)：
H01L21/302 201A ,  H01L21/205 ,  C23C16/48 ,  G03F1/08 L
F-Term (30)：
2H095BB35 ,  2H095BC09 ,  4K030AA04 ,  4K030AA06 ,  4K030AA11 ,  4K030BA06 ,  4K030BA29 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA07 ,  4K030LA15 ,  5F004AA11 ,  5F004BA19 ,  5F004BA20 ,  5F004BB03 ,  5F004DA01 ,  5F004DA03 ,  5F004DA16 ,  5F004DA18 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DB01 ,  5F004EA34 ,  5F045AA11 ,  5F045AB02 ,  5F045AC01 ,  5F045BB01 ,  5F045DP04 ,  5F045DQ10 ,  5F045EE08
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (6)
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