単結晶ダイヤモンド成長用基材の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：好宮幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006063376
Publication number (International publication number)：2007238377
Application date： Mar. 08, 2006
Publication date： Sep. 20, 2007
Summary：

【課題】より確実に単結晶ダイヤモンドを成長させることができる単結晶ダイヤモンド成長用基材の製造方法を提供する。【解決手段】単結晶ダイヤモンド成長用基材の製造方法において、少なくとも、ダイヤモンド成長前の基材に対して予め基材側電極をカソードとした直流放電でダイヤモンド核形成を行うバイアス処理を行い、該処理において、少なくともバイアス処理開始40秒後からバイアス処理終了までの基材温度を800°C±60°Cに保つことを特徴とする単結晶ダイヤモンド成長用基材の製造方法。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

単結晶ダイヤモンド成長用基材の製造方法において、少なくとも、ダイヤモンド成長前の基材に対して予め基材側電極をカソードとした直流放電でダイヤモンド核形成を行うバイアス処理を行い、該処理において、少なくともバイアス処理開始40秒後からバイアス処理終了までの基材温度を800°C±60°Cに保つことを特徴とする単結晶ダイヤモンド成長用基材の製造方法。

IPC (4)：

C30B 29/04 , C30B 25/18 , C30B 25/02 , H01L 21/205

FI (7)：

C30B29/04 Z , C30B29/04 E , C30B29/04 C , C30B29/04 W , C30B25/18 , C30B25/02 P , H01L21/205

F-Term (24)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077BA03 , 4G077DB17 , 4G077DB19 , 4G077EA02 , 4G077ED06 , 4G077EE05 , 4G077EE06 , 4G077FJ03 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G077TA04 , 4G077TA07 , 4G077TB07 , 4G077TC06 , 4G077TK01 , 4G077TK11 , 5F045AA09 , 5F045AB07 , 5F045AF09 , 5F045AF10 , 5F045HA01 , 5F045HA03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

ダイヤモンド単結晶基板及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-028811 Applicant：住友電気工業株式会社
ダイヤモンドの合成法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-298998 Applicant：住友電気工業株式会社
核が形成されるシリコン表面の形成方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平6-525113 Applicant：コーベスティールヨーロッパリミテッド

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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