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J-GLOBAL ID：200903056255850980

窒化物半導体レーザ素子、及びその製造方法

Inventor：
山田 孝夫

About 山田 孝夫


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001323923
Publication number (International publication number)：2002204036
Application date： Oct. 22, 2001
Publication date： Jul. 19, 2002
Summary：
【要約】【課題】 反射損失が少ない共振器端面を備えた窒化物半導体レーザ素子であり、COD対策を備えた高出力レーザを提供する。【解決手段】 n型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層の間に窒化物半導体からなる活性層を備えた窒化物半導体レーザ素子、及びその製造方法において、レーザ素子の対向する共振器端面のうちの少なくとも一方は、Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N(0≦x<1)からなる端面膜を形成する工程後、アニールを行う工程を備えている。さらに、Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>Nは0.01≦x≦0.3とする。
Claim (excerpt)：
n型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層の間に窒化物半導体からなる活性層を備えた窒化物半導体レーザ素子において、前記レーザ素子の対向する共振器端面のうちの少なくとも一方は、Al<SB>x</SB>Ga<SB></SB><SB>1-x</SB>N(0≦x<1)からなる端面膜を有することを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
IPC (2)：
H01S 5/343 610 ,  H01S 5/028
FI (2)：
H01S 5/343 610 ,  H01S 5/028
F-Term (11)：
5F073AA13 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB14 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073DA16 ,  5F073DA25 ,  5F073EA28
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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