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J-GLOBAL ID:200903056325403048
近接場光露光用マスクおよびその作製方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
柳田 征史 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999175631
Publication number (International publication number):2001005168
Application date: Jun. 22, 1999
Publication date: Jan. 12, 2001
Summary:
【要約】【課題】 露光光に対して透明であるマスク母材の一表面側に、所定パターンの開口部を残すように遮光膜が形成されてなる近接場光露光用マスクにおいて、近接場光をフォトレジスト等の被露光物に十分な強度で照射可能とし、また遮光膜が薄いことによるカブリや耐久性の問題を解決する。【解決手段】 露光光に対して透明であるマスク母材20の一表面側に、所定パターンの開口部を残すように遮光膜21が形成されてなる近接場光露光用マスク25において、マスク母材20の一表面20aに所定形状の複数の溝20bを形成し、これらの溝20bに挟まれる部分にマスク開口部となる母材凸部20cを形成する。そして溝20bの部分に遮光膜21を埋め込み、この遮光膜21の表面とマスク母材20の一表面20aとの段差を50nm以下とする。
Claim (excerpt):
露光光に対して透明であるマスク母材の一表面側に、所定パターンの開口部を残すように遮光膜が形成されてなる近接場光露光用マスクにおいて、前記マスク母材の一表面に所定形状の複数の溝が形成されて、この溝に挟まれる部分に前記開口部となる母材凸部が形成され、前記溝の部分に遮光膜が埋め込まれ、この遮光膜の表面と前記マスク母材の一表面との段差が50nm以下とされていることを特徴とする近接場光露光用マスク。
IPC (3):
G03F 1/14
, G03F 1/08
, H01L 21/027
FI (3):
G03F 1/14 A
, G03F 1/08 L
, H01L 21/30 502 P
F-Term (8):
2H095BA03
, 2H095BA04
, 2H095BB15
, 2H095BB27
, 2H095BC08
, 2H095BC10
, 2H095BC27
, 2H095BC28
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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光露光または転写方法および装置またはそのためのマスク
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-319781
Applicant:株式会社日立製作所
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フォトマスクの製造方法およびフォトマスク
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-088271
Applicant:株式会社日立製作所, 日立電子エンジニアリング株式会社
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光ファイバープローブ及びそれを用いた近接場光学顕微鏡
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-313920
Applicant:財団法人神奈川科学技術アカデミー
-
特開昭60-024016
-
光転写装置及び方法及びマスク及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-122370
Applicant:株式会社荏原製作所, 畑村洋太郎
-
特開昭60-024016
-
光転写用複製マスク及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-136149
Applicant:株式会社荏原製作所, 畑村洋太郎
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