膜形成方法、積層膜、絶縁膜ならびに半導体用基板

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001307909
Publication number (International publication number)：2003115485
Application date： Oct. 03, 2001
Publication date： Apr. 18, 2003
Summary：

【要約】【課題】積層された膜に関し、さらに詳しくは、半導体素子などにおいてCVD法で形成される塗膜との密着性に優れた半導体用積層膜に関する。【解決手段】 (A)基板に、紫外線照射処理、酸素プラズマ処理、窒素プラズマ処理、ヘリウムプラズマ処理、アルゴンプラズマ処理、水素プラズマ処理、アンモニアプラズマ処理から選ばれる少なくとも1種の処理を行った後、(B)ポリシロキサンならびに有機溶剤を含む膜形成用組成物を塗布し、加熱することを特徴とする膜形成方法。

Claim (excerpt)：

(A)基板に、紫外線照射処理、酸素プラズマ処理、窒素プラズマ処理、ヘリウムプラズマ処理、アルゴンプラズマ処理、水素プラズマ処理、アンモニアプラズマ処理から選ばれる少なくとも1種の処理を行った後、(B)下記一般式(1)〜(4)で表される化合物からなる群から選ばれた少なくとも1種の化合物および該化合物を加水分解、縮合して得られる加水分解縮合もしくはいずれか一方ならびに有機溶剤を含む膜形成用組成物を塗布し、加熱することを特徴とする膜形成方法。HSi(OR1 )3 ・・・・・(1)(式中、R1 は1価の有機基を示す。)Ra Si(OR2)4-a ・・・・・(2)(式中、Rはフッ素原子または1価の有機基、R2は1価の有機基、aは1〜2の整数を示す。)Si(OR3)4 ・・・・・(3)(式中、R3は1価の有機基を示す。) R4b (R5O)3-b Si-(R8)d -Si(OR6)3-c R7c ・・・(4)〔式中、R4〜R7は同一または異なり、それぞれ1価の有機基、bおよびcは同一または異なり、0〜2の整数、R8は酸素原子、フェニレン基または-(CH2)n -で表される基(ここで、nは1〜6の整数である)、dは0または1を示す。〕

IPC (5)：

H01L 21/316 , C09D183/02 , C09D183/04 , C09D183/14 , B32B 27/00 101

FI (5)：

H01L 21/316 G , C09D183/02 , C09D183/04 , C09D183/14 , B32B 27/00 101

F-Term (38)：

4F100AB11A , 4F100AK52B , 4F100AT00A , 4F100BA02 , 4F100EH462 , 4F100EH66A , 4F100EJ012 , 4F100EJ102 , 4F100EJ422 , 4F100EJ541 , 4F100EJ611 , 4F100GB43 , 4F100JG04 , 4J038DL021 , 4J038DL022 , 4J038DL031 , 4J038DL032 , 4J038DL051 , 4J038DL052 , 4J038DL061 , 4J038DL062 , 4J038KA04 , 4J038KA06 , 4J038PA19 , 4J038PB09 , 4J038PC03 , 5F058BA10 , 5F058BC02 , 5F058BC05 , 5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BD07 , 5F058BD10 , 5F058BD15 , 5F058BD18 , 5F058BE04 , 5F058BE10 , 5F058BF02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開平4-014224
特開平4-365355
SOG塗布装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-023460 Applicant：株式会社日立製作所

Show all

Return to Previous Page