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J-GLOBAL ID：200903056930297616

量子ドットの形成方法

Inventor：
山口 浩一

About 山口 浩一


Applicant, Patent owner：
国立大学法人 電気通信大学

About 国立大学法人 電気通信大学


Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004262638
Publication number (International publication number)：2006080293
Application date： Sep. 09, 2004
Publication date： Mar. 23, 2006
Summary：
【課題】 高密度かつ高均一な量子ドットの自己形成を実現する。【解決手段】 GaAs基板上に、GaAsバッファ層を形成し、GaAsバッファ層上に、GaSbxAs1-x(0 Claim (excerpt)：
GaAs基板上に、GaAsバッファ層を形成し、 前記GaAsバッファ層上に、GaSbxAs1-x(0 IPC (3)：
H01L 29/06 ,  H01L 21/203 ,  H01S 5/343
FI (3)：
H01L29/06 601D ,  H01L21/203 M ,  H01S5/343
F-Term (17)：
5F103AA04 ,  5F103DD03 ,  5F103DD30 ,  5F103LL03 ,  5F103NN01 ,  5F103NN03 ,  5F103RR06 ,  5F173AA16 ,  5F173AF09 ,  5F173AF12 ,  5F173AF15 ,  5F173AG12 ,  5F173AH03 ,  5F173AP10 ,  5F173AQ12 ,  5F173AQ14 ,  5F173AR04
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
  • 半導体量子ドット及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-097569   Applicant：富士通株式会社
  • 量子ドットの形成方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-175914   Applicant：日本電気株式会社, 株式会社日立製作所, 技術研究組合フェムト秒テクノロジー研究機構
  • 半導体発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-238756   Applicant：株式会社東芝
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Cited by examiner (4)
  • 半導体発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-238756   Applicant：株式会社東芝
  • 半導体素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-336787   Applicant：ソニー株式会社
  • 量子箱メモリ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-143213   Applicant：ソニー株式会社
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Article cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (1)

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