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J-GLOBAL ID：200903057093519539

レジストパターンおよびその形成方法、薄膜パターン形成方法ならびにマイクロデバイスの製造方法

Inventor：
上島 聡史

About 上島 聡史


Applicant, Patent owner：
ティーディーケイ株式会社

About ティーディーケイ株式会社


Agent (1)： 星宮 勝美
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000025696
Publication number (International publication number)：2001215728
Application date： Feb. 02, 2000
Publication date： Aug. 10, 2001
Summary：
【要約】【課題】 欠陥を発生させることなく、微細な薄膜パターンを精度よく形成することを可能にする。【解決手段】 レジストパターン10は、レジストよりなる上層パターン14と、現像液によって溶解される材料よりなる下層パターンとを含む。上層パターン14は、形成すべき薄膜パターンに対応する部分と他の部分とに跨るように形成され、下層パターンは他の部分にのみ形成されている。下層パターンは、例えばポリメチルグルタルイミドもしくは染料が添加されたポリメチルグルタルイミドよりなる。薄膜パターンは、レジストパターン10を用いて、エッチング法、リフトオフ法、またはこれらを併用した方法によって形成される。
Claim (excerpt)：
レジストよりなる上層パターンと、上層パターンよりも現像時における溶解速度が大きい材料よりなり、上層パターンと下地との間に配置された下層パターンとを含み、薄膜パターンを形成するために用いられるレジストパターンであって、前記上層パターンは、形成すべき薄膜パターンに対応する部分と他の部分とに跨るように形成され、前記下層パターンは前記他の部分にのみ形成されていることを特徴とするレジストパターン。
IPC (2)：
G03F 7/26 513 ,  H01L 21/027
FI (2)：
G03F 7/26 513 ,  H01L 21/30 576
F-Term (12)：
2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096CA05 ,  2H096GA08 ,  2H096HA23 ,  2H096HA28 ,  2H096HA30 ,  2H096JA04 ,  2H096KA02 ,  2H096KA14 ,  5F046NA01 ,  5F046NA13
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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