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J-GLOBAL ID：200903057152969012

結晶性半導体薄膜及びその作製方法並びに半導体装置及びその作製方法

Inventor： 山崎 舜平 ,  大谷 久 ,  高野 圭恵
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999199658
Publication number (International publication number)：2001035790
Application date： Jul. 13, 1999
Publication date： Feb. 09, 2001
Summary：

【要約】【課題】結晶性半導体薄膜を形成するための技術を提供する。【解決手段】 非晶質半導体薄膜に対して紫外光又は赤外光を照射することにより結晶性半導体薄膜102を得る。そして結晶性半導体薄膜102に対して、還元雰囲気において900〜1200°Cの熱処理を行う。この工程により結晶性半導体薄膜103の表面が著しく平坦化され、且つ、結晶粒界及び結晶粒内の欠陥が消滅して単結晶半導体薄膜又は実質的な単結晶半導体薄膜が得られる。

Claim (excerpt)：

高さが最大値から最大値と最小値の差分の1/2を示す領域が占める割合が29〜72%であることを特徴とする結晶性半導体薄膜。

IPC (3)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/78 627 G

F-Term (58)：

5F052AA02 ,  5F052AA17 ,  5F052AA27 ,  5F052BA07 ,  5F052BA20 ,  5F052BB02 ,  5F052BB07 ,  5F052CA08 ,  5F052DA02 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB10 ,  5F052EA15 ,  5F052EA16 ,  5F052HA01 ,  5F052JA01 ,  5F110AA18 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE32 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG02 ,  5F110GG06 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL05 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP06 ,  5F110PP29 ,  5F110PP35 ,  5F110PP38 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

• 半導体装置の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-053737   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 薄膜トランジスタの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-117779   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-329760   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体薄膜、半導体装置および半導体薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-255644   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体材料およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-080799   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• シリコン薄膜の結晶化方法および表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-250681   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体基材の加工方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-016524   Applicant：キヤノン株式会社
• 半導体装置および半導体の作製方法および半導体装置の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-128920   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-301250   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所