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J-GLOBAL ID：200903057345972533

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 前田 茂伸 ,  山口 泰男 ,  平野 有一 ,  一法師 隆志 ,  松本 拓治
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 吉田 茂明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000117720
Publication number (International publication number)：2001308273
Application date： Apr. 19, 2000
Publication date： Nov. 02, 2001
Summary：

【要約】【課題】 インダクタを有した半導体装置において、静電誘導損失および電磁誘導損失を低減できるとともに、構造および製造工程が複雑になることを防止した半導体装置を提供する。【解決手段】 RF回路部RPにおいては、SOI層3のスパイラルインダクタSIの配設領域に対応する領域が複数のトレンチ分離酸化膜11によって分割され、複数のSOI領域21が形成されている。トレンチ分離酸化膜11は、SOI層3の表面から埋め込み酸化膜2の表面に達するように配設されたトレンチ内にシリコン酸化膜を埋め込むことで形成され、各SOI領域21は電気的に完全に分離されている。なお、トレンチ分離酸化膜11は、所定の形成幅で、埋め込み酸化膜2の表面に対してほぼ垂直に延在する形状を有している。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板の主面内に配設されたシールド層と、前記シールド層の形成領域上に層間絶縁膜を間に挟んで配設されたインダクタンス素子とを備え、前記シールド層は、接地電位に接続された少なくとも1つの導電部と、前記少なくとも1つの導電部の平面内に前記インダクタンス素子によって誘起される渦電流の経路を遮断する少なくとも1つの電流遮断部とを有する、半導体装置。

IPC (5)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/762 ,  H01L 21/76 ,  H01L 29/786

FI (7)：

H01L 27/04 L ,  H01L 21/76 D ,  H01L 21/76 L ,  H01L 27/04 H ,  H01L 29/78 613 Z ,  H01L 29/78 621 ,  H01L 29/78 626 C

F-Term (35)：

5F032AA01 ,  5F032AA13 ,  5F032AA35 ,  5F032AA44 ,  5F032AC04 ,  5F032CA17 ,  5F032CA21 ,  5F032DA54 ,  5F032DA55 ,  5F038AZ04 ,  5F038BH10 ,  5F038BH19 ,  5F038DF12 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ20 ,  5F110AA30 ,  5F110BB03 ,  5F110BB04 ,  5F110BB13 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE05 ,  5F110EE14 ,  5F110EE31 ,  5F110GG02 ,  5F110HK05 ,  5F110NN03 ,  5F110NN23 ,  5F110NN61 ,  5F110NN62 ,  5F110NN63 ,  5F110NN65 ,  5F110NN66 ,  5F110NN71

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

• コイル構造
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-148581   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-198065   Applicant：株式会社東芝
• 半導体基板上に形成されるインダクタンス素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-059620   Applicant：富士通株式会社
• 電界効果型トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-079114   Applicant：株式会社東芝
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-123384   Applicant：株式会社日立製作所
• インダクタ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-132498   Applicant：株式会社東芝
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-034820   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-028877   Applicant：ソニー株式会社
• シリコン上の高Qインダクタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-196834   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• インダクタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-249306   Applicant：株式会社日立製作所
• 低損失導電性パタ-ンおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-058674   Applicant：アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ