MOSFETの製造を目的とした置き換えゲートとしてシリコンゲルマニウムおよびその他の合金の使用

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000261913
Publication number (International publication number)：2001102583
Application date： Aug. 30, 2000
Publication date： Apr. 13, 2001
Summary：

【要約】【課題】ゲートの形成の前にソース領域およびドレイン領域が形成されることを特徴とするMOSFETデバイスの製造方法を提供すること。【解決手段】基板上にMOSFET構造を製造する方法は、基板内のゲート領域上に島を形成し、島がIV-B族元素の合金から形成されるステップと、島の周りに側壁を形成するステップと、基板内にソース領域およびドレイン領域を形成するステップと、側壁を除去することなく島を選択的に除去し、それによってゲート領域上にボイドを残すステップと、ボイドをゲート構造で埋めるステップとを含む方法。

Claim (excerpt)：

基板上にMOSFET構造を製造する方法であって、該方法は、該基板内のゲート領域上に島を形成し、該島がIV-B族元素の合金から形成される、ステップと、該島の周りに側壁を形成するステップと、該基板内にソース領域およびドレイン領域を形成するステップと、該側壁を除去することなく該島を選択的に除去し、それによって該ゲート領域上にボイドを残す、ステップと、該ボイドをゲート構造で埋めるステップと、を含む、方法。

IPC (10)：

H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 21/28 , H01L 21/283 , H01L 27/105 , H01L 29/43 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 29/786

FI (12)：

H01L 21/28 D , H01L 21/283 C , H01L 29/78 301 P , H01L 27/10 444 A , H01L 29/62 G , H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 301 S , H01L 29/78 371 , H01L 29/78 616 M , H01L 29/78 617 J , H01L 29/78 617 S , H01L 29/78 627 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

化学的機械的研磨及び窒化物置換による積み上げソース/ドレインを有するプレーナMOSFETの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-343977 Applicant：シャープ株式会社, シャープ・マイクロエレクトロニクス・テクノロジー・インコーポレイテッド
トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-264058 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
半導体装置の製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-242059 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

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