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J-GLOBAL ID：200903043814771527

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法

Inventor：
幡 俊雄

About 幡 俊雄


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997131488
Publication number (International publication number)：1998321962
Application date： May. 21, 1997
Publication date： Dec. 04, 1998
Summary：
【要約】【課題】 品質の高い再成長界面を有し、電気的特性及び光学的特性に優れ、信頼性を向上できる窒化ガリウム系化合物半導体レーザを提供する。【解決手段】 2回目の結晶成長工程において、例えば400°C〜650°C程度の低温基板温度にて、露出したMgドープAl0.1Ga0.9Nクラッド層5上にN型Al0.05Ga0.95N表面蒸発保護層6を20nm〜100nm程度積層する。次に、基板温度を1050°C程度まで昇温し、N型Al0.15Ga0.85N電流阻止層7を0.5μm〜1μm程度選択成長させる。
Claim (excerpt)：
基板上に積層構造体が形成された窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、該積層構造体は、活性層と、該活性層を挟む一対のクラッド層であって、該一対のクラッド層の内、該基板から遠い方のクラッド層がストライプ状の凸部を有するクラッド層と、該ストライプ状の凸部上の一部に形成された表面蒸発保護層及び内部電流阻止層と、該内部電流阻止層及び該基板から遠い方の露出した該クラッド層の表面を覆う再成長層とを備え、該表面蒸発保護層をGa、N、不純物等が蒸発しない低温基板温度で積層した窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
IPC (2)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00
FI (2)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (21)
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