半導体装置

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004010053
Publication number (International publication number)：2005203657
Application date： Jan. 19, 2004
Publication date： Jul. 28, 2005
Summary：

【課題】従来のチップ積層化による三次元ICの製造方法では、チップ間接続電極用のパッドを形成した複数のICチップをチップ間接続電極により接続するため、実装の際にチップ間の精度の高い位置合わせが必要である。また、チップ間接続電極形成のため、チップ間隔を広げることができず、内部チップの放熱が困難である。【解決手段】チップ間接続電極用のかわりに積層するICチップ上に平面インダクタを形成して、平面インダクタ間の電磁結合によってチップ間の配線接続のための無線信号伝達を実現する。また、平面インダクタともに容量を形成して、ICチップ上に共振回路を実現する。チップ間無線通信において、伝送周波数と共振周波数を等しくして、さらに符号間干渉を引き起こす不要な残留振動を抑えることで高速でビット誤りの生じないディジタル伝送を実現する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

平面インダクタを形成した複数の半導体集積回路チップを積層し、平面インダクタ間の電磁結合でチップ間の情報を伝達することを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L25/065 , H01L21/822 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L27/04

FI (2)：

H01L25/08 Z , H01L27/04 L

F-Term (5)：

5F038AZ04 , 5F038CA12 , 5F038DF01 , 5F038EZ07 , 5F038EZ20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

半導体集積回路およびその形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-078431 Applicant：日本電気株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-150756 Applicant：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ

Cited by examiner (5)

マルチチップモジュール
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-220361 Applicant：松下電器産業株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-047833 Applicant：株式会社日立製作所
半導体チップの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-027133 Applicant：日立マクセル株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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