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J-GLOBAL ID：200903058269329886

再生ウェーハから半導体ウェーハへの変換法

Inventor：
ギド ヴェンスキー

About ギド ヴェンスキー


Applicant, Patent owner：
ワッカー ジルトロニック ゲゼルシャフト フュア ハルプライターマテリアーリエン アクチエンゲゼルシャフト

About ワッカー ジルトロニック ゲゼルシャフト フュア ハルプライターマテリアーリエン アクチエンゲゼルシャフト


Agent (1)： 矢野 敏雄 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001115464
Publication number (International publication number)：2001358107
Application date： Apr. 13, 2001
Publication date： Dec. 26, 2001
Summary：
【要約】【課題】 再生ウェーハの製造法。【解決手段】 (a)異性材料を有する再生ウェーハの少なくとも1面を、機械的に材料除去する作業;(b)再生ウェーハの側面および/または縁部の少なくとも1つからの、エッチング工程による表面材料除去;(c)再生ウェーハ縁部の研磨;(d)研磨布で覆われた、自転するバフの間で、研磨剤導入下での再生ウェーハの両面同時研磨、(e)研磨布で覆われたバフ上、研磨剤導入下での、再生ウェーハの少なくとも一面の片面研磨の各工程を実施する。【効果】電子素子を製造するためのプロセスからの異性材料を強力に送り込み、かつ50μm以下の厚さ削減の実施下での調節後、0.13μm以下の線幅を有する素子のため出発材料としての再利用に適当であり、および収量および製造コストに関して優れた再生ウェーハが得られる。
Claim (excerpt)：
半導体製造のための出発材料として適当な半導体ウェーハへと、再生ウェーハと呼ばれる半導体ウェーハを変換する方法において、再生ウェーハが、表側、裏側および縁部を有し、かつ表裏少なくとも1つの面に、少なくとも1つの半導体素子製造プロセスから生じる異性材料を有し、およびこの方法が、次の各工程:(a)再生ウェーハの異性材料を有する面の少なくとも一方の機械的材料除去処理;(b)再生ウェーハの面および/または縁部の少なくとも1つからの、少なくとも1つのエッチング工程による表面材料除去;(c)再生ウェーハ縁部の研磨;(d)研磨布で覆われた、自転するバフの間で、0.1〜5質量%の固体濃度および9〜12のpH値を有する研磨剤導入下での再生ウェーハの両面同時研磨、この場合、再生ウェーハは回転板の余地部分に存在している;および(e)研磨布で覆われたバフ上で、0.1〜5質量%の固体濃度および9〜12のpH値を有する研磨剤導入下での、再生ウェーハの少なくとも一面の片面研磨、この場合、曇りのない研磨された表面を製造する;を含むことを特徴とする、再生ウェーハの半導体ウェーハへの変換法。
IPC (4)：
H01L 21/304 631 ,  H01L 21/304 621 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/306
FI (4)：
H01L 21/304 631 ,  H01L 21/304 621 A ,  H01L 21/304 621 E ,  H01L 21/306 M
F-Term (5)：
5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043DD16 ,  5F043EE01 ,  5F043GG10
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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