Pat
J-GLOBAL ID：200903049158525512

研磨用組成物及び研磨加工方法

Inventor：
吉田 明利

About 吉田 明利

, 
小川 佳久

About 小川 佳久

, 
田中 弘明

About 田中 弘明


Applicant, Patent owner：
田中 弘明

About 田中 弘明


Agent (1)： 田中 宏 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998115290
Publication number (International publication number)：1999302634
Application date： Apr. 24, 1998
Publication date： Nov. 02, 1999
Summary：
【要約】【目的】本発明は、シリコンウェーハ等半導体基板の表面の研磨加工を行なう研磨用組成物および該研磨用組成物の調整方法、および該研磨用組成物を用いた研磨加工方法に関する。【構成】平均一次粒子径が8〜500nmの酸化珪素粒子を1〜15重量%含むコロイド溶液からなり、該コロイド溶液が、25°Cにおける酸解離定数の逆数の対数値が8.0〜12.0の弱酸及び/または弱塩基を使用して、弱酸と強塩基、強酸と弱塩基あるいは弱酸と弱塩基の何れかの組み合わせのものを添加することによって、pH8.7〜10.6の間で緩衝作用を有する緩衝溶液として調整されたものであることを特徴とする研磨用組成物、好ましくは25°Cにおける導電率が、酸化珪素1重量%あたり20mS/m以上である研磨用組成物を提供する。更に、その研磨用組成物を使用したシリコンウェーハ等半導体基板の表面の研磨加工方法を提供する。
Claim (excerpt)：
平均一次粒子径が8〜500nmの酸化珪素粒子を1〜15重量%含むコロイド溶液からなり、該コロイド溶液が、25°Cにおける酸解離定数の逆数の対数値が8.0〜12.0の弱酸及び/または弱塩基を使用して、弱酸と強塩基、強酸と弱塩基あるいは弱酸と弱塩基の何れかの組み合わせのものを添加することによって、pH8.7〜10.6の間で緩衝作用を有する緩衝溶液として調整されたものであることを特徴とする研磨用組成物。
IPC (2)：
C09K 3/14 550 ,  H01L 21/304 622
FI (2)：
C09K 3/14 550 D ,  H01L 21/304 622 B
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (15)
  • 特開平4-313224
  • 特開平4-063428
  • 特開平4-313224
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM