Pat
J-GLOBAL ID：200903058275145100

半導体受光装置

Inventor：
木村 親夫

About 木村 親夫

, 
北村 昌良

About 北村 昌良


Applicant, Patent owner：
新日本無線株式会社

About 新日本無線株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999067664
Publication number (International publication number)：2000269537
Application date： Mar. 15, 1999
Publication date： Sep. 29, 2000
Summary：
【要約】【課題】 コストアップにならないで、かつ、ノイズの影響を殆ど受けない構造の光電変換素子とICとを組み合せた半導体受光装置を提供する。【解決手段】 信号光を受光する光電変換素子1と、その光電変換素子1により受信した信号を増幅および/または信号処理する半導体集積回路(IC)2とからなっており、その両者が回路基板3上に直接バンプ17、18、21、22により接続されている。光電変換素子1は、半導体基板11の表面側にたとえばp形層12とn形層13の接合部である光電変換部が形成されると共に、その表面上に、たとえばp形層12とn形層13とに接続されるバンプ18、19が形成され、かつ、その光電変換部(pn接合部)の下側の半導体基板11がエッチングされて凹部11aが形成されている。
Claim (excerpt)：
信号光を受光する光電変換素子と、該光電変換素子により受信した信号を増幅および/または信号処理する半導体集積回路とからなる半導体受光装置であって、前記光電変換素子は、半導体基板の表面側に光電変換部が形成されると共に該表面上に全ての電極に接続されたバンプが形成され、かつ、該光電変換部の下側の前記半導体基板がエッチングされて凹部が形成され、該光電変換素子が前記凹部側から光を受光できるように前記半導体集積回路が接続される回路基板上に前記バンプにより接続されてなる半導体受光装置。
IPC (3)：
H01L 31/10 ,  H01L 25/16 ,  H01L 31/02
FI (4)：
H01L 31/10 A ,  H01L 25/16 A ,  H01L 31/02 B ,  H01L 31/10 H
F-Term (21)：
5F049MA02 ,  5F049MA11 ,  5F049NA04 ,  5F049NA17 ,  5F049NB07 ,  5F049PA14 ,  5F049QA01 ,  5F049QA06 ,  5F049RA06 ,  5F049SE11 ,  5F049TA05 ,  5F049TA06 ,  5F088AA02 ,  5F088AA03 ,  5F088AA08 ,  5F088BA03 ,  5F088BA16 ,  5F088BB06 ,  5F088EA06 ,  5F088JA03 ,  5F088JA09
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (25)
  • 光電変換半導体装置及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-007097   Applicant：セイコー電子工業株式会社
  • 光半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-052515   Applicant：株式会社日立製作所
  • シールド付き表面実装部品
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-181167   Applicant：日本電気株式会社
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM