位相シフトマスクの欠陥修正方法およびその装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：坂上正明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000160478
Publication number (International publication number)：2001343733
Application date： May. 30, 2000
Publication date： Dec. 14, 2001
Summary：

【要約】【課題】ガラスまたは石英の凹凸からなる位相シフトマスクに対して高品質な欠陥修正を提供するためには、高い透過率で、位相制御性も良い欠陥修正技術が必要である。【解決手段】沃素ガスをバルブ13を介して装置内に導入できるようにし、沃素ガス雰囲気下で、イオンビーム2の照射条件を加工領域の透過率が高く、エッチレートも低くくなる条件を選ぶ。エッチングレートの低下に伴うスループットの低下に対しては、上記の方法とエッチングレートの高い加工方法との組み合わせることで対処する。

Claim (excerpt)：

イオンを放出するイオン源と、前記イオンを集束するためのイオン光学系と、前記集束イオンビームを試料上の所望の位置に照射するための偏向電極と、ガラスまたは石英の凹凸からなる位相シフトマスクの表面から放出される二次粒子を検出するための検出器と、二次粒子の平面強度分布に基づいて前記試料表面の画像を表示する画像表示装置と、前記試料表面の画像情報に基づいて加工領域を指定し、指定した領域のみ選択的に集束イオンビームを繰り返し走査しながら照射する機能を備えたマスク修正装置において、沃素ガス雰囲気下で前記位相シフトマスクを加工することを特徴とする位相シフトマスクの欠陥修正装置。

FI (2)：

G03F 1/08 T , G03F 1/08 A

F-Term (5)：

2H095BB03 , 2H095BD02 , 2H095BD14 , 2H095BD35 , 2H095BD38

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (9)

パターン膜修正方法とその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-129260 Applicant：セイコー電子工業株式会社
位相シフトマスクおよびマスクの修正方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-163039 Applicant：株式会社東芝
パターン膜除去方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-087049 Applicant：セイコー電子工業株式会社

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Cited by examiner (9)

パターン膜修正方法とその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-129260 Applicant：セイコー電子工業株式会社
位相シフトマスクおよびマスクの修正方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-163039 Applicant：株式会社東芝
欠陥形状検出方法及びその装置ならびにそれを用いた欠陥修正方法及びその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-145413 Applicant：株式会社日立製作所

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