窒化ガリウム系半導体発光素子およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：梅田勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997105515
Publication number (International publication number)：1998303459
Application date： Apr. 23, 1997
Publication date： Nov. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】面内分布が小さく、かつ、良好な発光特性を有する窒化ガリウム系半導体発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】気相成長法により、窒化物半導体からなるクラッド層及び/又はガイド層に挟まれた、少なくともインジウムとガリウムを含む窒化物半導体からなる量子井戸構造活性層を形成する際の基板の厚さを、5μm以上50μm以下とする。

Claim (excerpt)：

気相成長法により、窒化物半導体からなるクラッド層及び/又はガイド層に挟まれた、少なくともインジウムとガリウムを含む窒化物半導体からなる量子井戸構造活性層を形成する際の窒化ガリウム基板の厚さを、5μm以上50μm以下とすることを特徴とする窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

窒化物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-036250 Applicant：日亜化学工業株式会社
半導体素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-061187 Applicant：株式会社東芝
p型AlGaN系半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-163217 Applicant：三菱電線工業株式会社

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