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J-GLOBAL ID：200903059134857960

半導体発光素子及びその製造方法

Inventor： 佐々木 和明 ,  中村 淳一
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997014906
Publication number (International publication number)：1998214996
Application date： Jan. 29, 1997
Publication date： Aug. 11, 1998
Summary：

【要約】【課題】 4元LEDにおいて、発光層に続いて、電流狭窄層や電流拡散層を形成する時の再成長界面が酸化され、高輝度で且つ低電圧の半導体発光素子を得ることが困難であった。【解決手段】 第1導電型の化合物半導体基板、発光層、第2導電型のAlを含まない化合物半導体層、第2導電型のAlを含まない化合物半導体より成る電流拡散層、を含む各層より構成されることを特徴とするものである。

Claim (excerpt)：

第1導電型の化合物半導体基板、発光層、第2導電型のAlを含まない化合物半導体層、第2導電型のAlを含まない化合物半導体より成る電流拡散層、を含む各層より構成されることを特徴とする半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-030819   Applicant：三菱電線工業株式会社
• 特開平4-229665
  
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-210521   Applicant：三菱電線工業株式会社
• 半導体発光素子、光学検知装置、光学的情報検知装置、投光器及び光ファイバーモジュール
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-037729   Applicant：オムロン株式会社
• 半導体素子及びその製造方法、並びに半導体素子製作用マスク
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-209151   Applicant：オムロン株式会社
• 半導体ヘテロ接合材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-068297   Applicant：昭和電工株式会社
• 特開平4-229665
  
• 発光素子構造
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-180118   Applicant：三菱電線工業株式会社
• 特開平4-229665