多層構造およびその製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：坂口博 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998231729
Publication number (International publication number)：1999150115
Application date： Aug. 18, 1998
Publication date： Jun. 02, 1999
Summary：

【要約】【課題】改良された二層レジスト系構造を提供する。【解決手段】蒸着された厚いARC層と、無定形炭素膜をベースとする一つの調整可能な厚い下部層被覆を作製する方法とを開示する。これらの膜は、水素添加,フッ素添加,窒素添加された炭素膜とすることができる。このような膜は、UVおよびDUV波長、特に、365,248、および193nmで、それぞれ約1.4〜約2.1および約0.1〜約0.6の調整可能な屈折率と吸光係数とを有する。これにより、二層レジスト系における厚い下部層として用いるのに極めて有効な膜が作製される。この膜は、UVおよびDUV波長で、レジストと下部層との間の界面での反射がほぼ零とすることができ、よって精密な線幅制御が可能となり、半導体チップの性能を顕著に改善する。

Claim (excerpt)：

少なくとも一つの主面を有する基板と、少なくとも一つの蒸着された反射防止膜とを含む構造。

IPC (4)：

H01L 21/3205 , C01B 31/00 , C23C 14/06 , H01L 21/027

FI (4)：

H01L 21/88 B , C01B 31/00 , C23C 14/06 F , H01L 21/30 574

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (14)

アモルファスカーボンを用いた半導体装置製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-049548 Applicant：富士通株式会社
パターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-075948 Applicant：富士通株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-242888 Applicant：富士通株式会社

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