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J-GLOBAL ID：200903060002050640

半導体レーザ素子及びその製造方法

Inventor：
角田 篤勇

About 角田 篤勇


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 高野 明近 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000296629
Publication number (International publication number)：2001196694
Application date： Sep. 28, 2000
Publication date： Jul. 19, 2001
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 MBE法により結晶性の良いInGaAlP系半導体層を作製するため、Inの再蒸発が生じる温度まで成長温度を高くしても結晶性が劣化しないようにする。【解決手段】 (100)面から[011]方向に7°〜15°傾けた面を主面とするGaAs基板1上にGaAsよりなるバッファ層2及びGaInPよりなるバッファ層3をMBE法(分子線エピタキシャル成長法)により形成後、バンドギャップE<SB>gc</SB>のAlGaInPクラッド層4,6、及びバンドギャップE<SB>ga</SB>のAlGaInP活性層5を含む半導体層を含む半導体層をMBE法により形成する。III族の元素の量を調整してE<SB>ga</SB><E<SB>gc</SB>とする。また、半導体レーザ素子は[01-1]方向に延伸するリッジストライプを有する。
Claim (excerpt)：
(100)面から[011]方向にθ°傾けた面を主面とする基板上に、III-V族化合物半導体層からなるバンドギャップE<SB>gc</SB>のクラッド層及びバンドギャップE<SB>ga</SB>の活性層を積層し、リッジストライプを形成した半導体レーザ素子において、前記バンドギャップE<SB>ga</SB>,E<SB>gc</SB>の関係はE<SB>ga</SB><E<SB>gc</SB>であり、前記リッジストライプの延びる方向は[01-1]方向であることを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (2)：
H01S 5/22 ,  H01S 5/343
FI (2)：
H01S 5/22 ,  H01S 5/343
F-Term (10)：
5F073AA26 ,  5F073AA51 ,  5F073AA53 ,  5F073AA55 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB07 ,  5F073CB10 ,  5F073DA23 ,  5F073EA28
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (16)
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