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J-GLOBAL ID:200903060040496287
半導体素子搭載用基板および半導体装置
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
平田 忠雄
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997120454
Publication number (International publication number):1998313072
Application date: May. 12, 1997
Publication date: Nov. 24, 1998
Summary:
【要約】【課題】 工程数が少なく、簡潔な構造の半導体素子搭載用基板およびその基板を使用した半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体素子8の電極9に対して電気的に接続させるためのパッド部3と外部接続端子10を形成するためのランド部5とをパターンのなかに含む配線パターン2を、絶縁フィルム1上に形成し、さらに、この上に配線パターン2を覆うようにして加熱接着性の異方性導電接着層7を積層一体化させ、これにより半導体素子搭載用基板を構成する。この半導体素子搭載用基板の異方性導電接着層7の上に半導体素子8を載置し、これを加熱加圧することによって両者を接着一体化すると同時に、配線パターン2のパッド部3と半導体素子8の電極9間を異方性導電接着層7により電気的に接続し、これによって半導体装置を構成する。
Claim (excerpt):
半導体素子の電極に対して電気的に接続されるパッド部とはんだボール等の外部接続端子に接続されるランド部を含む配線パターンを表面に形成され且つ前記ランド部が位置する前記外部接続端子を設ける貫通孔を形成された可撓性の配線パターン付き絶縁フィルムと、前記配線パターンを覆うようにして前記配線パターン付き絶縁フィルムに対し一体に積層された異方性導電接着層とから構成したことを特徴とする半導体素子搭載用基板。
IPC (3):
H01L 23/12
, H01L 21/60 311
, H01L 21/603
FI (5):
H01L 23/12 N
, H01L 21/60 311 S
, H01L 21/603 A
, H01L 23/12 L
, H01L 23/12 Q
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-203980
Applicant:富士通株式会社
-
半導体装置の製造方法及びフィルムキャリアテープ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-087444
Applicant:セイコーエプソン株式会社
-
半導体装置およびその作製方法および電気光学装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-339162
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
-
半導体集積回路の電極構造およびそのパッケージ形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-004436
Applicant:株式会社日立製作所, 日立電線株式会社
-
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-272177
Applicant:新光電気工業株式会社
-
チップサイズパッケージ及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-075352
Applicant:株式会社東芝
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