パターン形成方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：前田弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998145837
Publication number (International publication number)：1999072922
Application date： May. 27, 1998
Publication date： Mar. 16, 1999
Summary：

【要約】【課題】レジスト膜の表面に形成されるシリル化層のパターン幅及び厚さを大きくして、レジストパターンのパターン形状の劣化を防止する。【解決手段】半導体基板11上にレジストを塗布してレジスト膜12を形成した後、該レジスト膜12に対してマスク13を用いてArFエキシマレーザ14を照射してパターン露光を行なう。パターン露光されたレジスト膜12の表面に4-ジメチルシロキシ-3-ペンテン-2-オンよりなるシリル化剤15を供給して、レジスト膜12における未露光部12bにシリル化層16を形成する。シリル化層16をマスクとしてレジスト膜12に対してエッチングを行なうことによりレジスト膜16における露光部12aを除去して、レジスト膜12よりなるレジストパターン17を形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上にレジストを塗布してレジスト膜を形成する第1の工程と、上記レジスト膜に対してパターン露光を行なう第2の工程と、パターン露光された上記レジスト膜の表面に下記一般式(1)で示されるシラン化合物を含むシリル化剤を供給して、上記レジスト膜におけるパターン露光の未露光部にシリル化層を形成する第3の工程と、上記シリル化層をマスクとして上記レジスト膜に対してエッチングを行なうことにより上記レジスト膜におけるパターン露光の露光部を除去して、上記レジスト膜よりなるレジストパターンを形成する第4の工程とを備えていることを特徴とするパターン形成方法。【化1】(但し、R1 ,R2 ,R3 は、同種又は異種であって、水素原子、炭素数1〜6の置換飽和炭化水素基若しくは非置換飽和炭化水素基、炭素数1〜6の置換不飽和炭化水素基若しくは非置換不飽和炭化水素基、又は炭素数3〜6の脂環式飽和炭化水素基であり、R4 ,R5 ,R6 は、同種又は異種であって、水素原子、OR7 (R7 は、水素原子、炭素数1〜6の置換飽和炭化水素基若しくは非置換飽和炭化水素基、炭素数1〜6の置換不飽和炭化水素基若しくは非置換不飽和炭化水素基、又は炭素数3〜6の脂環式飽和炭化水素基である。)、炭素数1〜6の置換飽和炭化水素基若しくは非置換飽和炭化水素基、炭素数1〜6の置換不飽和炭化水素基若しくは非置換不飽和炭化水素基、又は炭素数3〜6の脂環式飽和炭化水素基である。)

IPC (5)：

G03F 7/075 501 , G03F 7/022 , G03F 7/039 601 , G03F 7/38 512 , H01L 21/027

FI (5)：

G03F 7/075 501 , G03F 7/022 , G03F 7/039 601 , G03F 7/38 512 , H01L 21/30 568

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

レジストパターンの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-222520 Applicant：日本ペイント株式会社
微細パターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-133342 Applicant：松下電器産業株式会社
フォトレジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-193551 Applicant：三星電子株式会社

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