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J-GLOBAL ID：200903061068788549

半導体装置およびその製造方法

Inventor：
石川 拓

About 石川 拓


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 高山 宏志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007130142
Publication number (International publication number)：2008182174
Application date： May. 16, 2007
Publication date： Aug. 07, 2008
Summary：
【課題】Cuの拡散を防止することができ、かつ、層間の誘電率が高くなることを抑制することができる半導体装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】 ウエハWにCu配線層6を形成し、Cu配線層6の上に、炭化水素ガスを含む処理ガスを用いたCVDによりCu拡散バリアとしてアモルファスカーボン膜7を成膜し、その上にLow-k膜8を形成する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
基板と、 基板の上に形成された銅または銅合金からなる配線層と、 前記配線層の上に形成され、炭化水素ガスを含む処理ガスを用いたCVDにより成膜されたアモルファスカーボン膜からなる銅拡散バリア膜と、 前記銅拡散バリア膜の上に形成された低誘電率絶縁膜と を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/314
FI (4)：
H01L21/88 A ,  H01L21/88 M ,  H01L21/88 R ,  H01L21/314 M
F-Term (45)：
5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH15 ,  5F033HH17 ,  5F033HH19 ,  5F033HH25 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM05 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ94 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR01 ,  5F033RR06 ,  5F033SS01 ,  5F033SS11 ,  5F033SS22 ,  5F033WW02 ,  5F033XX00 ,  5F033XX24 ,  5F033XX28 ,  5F058BD18 ,  5F058BF07 ,  5F058BF26 ,  5F058BJ02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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