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J-GLOBAL ID：200903029604856012

半導体装置およびその製造方法

Inventor：
宇佐美 達矢

About 宇佐美 達矢


Applicant, Patent owner：
NECエレクトロニクス株式会社

About NECエレクトロニクス株式会社


Agent (1)： 速水 進治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005069874
Publication number (International publication number)：2006253504
Application date： Mar. 11, 2005
Publication date： Sep. 21, 2006
Summary：
【課題】 半導体装置の配線構造中の絶縁膜を低誘電率化するとともに、製造安定性を向上させる。【解決手段】 半導体装置100は、銅含有金属により構成される第1配線108と、第1配線108の上部を被覆する第1のCuシリサイド層111と、Cuシリサイド層111の上部に設けられ、第1配線108に接続される導電性の第1プラグ114と、第1プラグ114の上部を被覆するCuシリサイド層117と、第1配線108の側壁から第1プラグ114の側壁にわたって設けられ、第1配線108の側壁と、第1配線108の上部と、第1プラグ114の側壁とを覆うように形成された第1ポーラスMSQ膜105と、第1ポーラスMSQ膜105の下層にあって、第1配線108の側壁下部に接するとともに、第1ポーラスMSQ膜105よりも膜密度の高い第1SiCN膜103と、を有する配線構造を備える。【選択図】 図10
Claim (excerpt)：
銅含有金属により構成される第1の配線と、 前記第1の配線の上部に接して設けられて、前記第1の配線の上部を被覆する第1のキャップメタル膜と、 前記第1のキャップメタル膜の上部に設けられ、前記第1の配線に接続される導電性のビアと、 前記第1の配線の側壁から前記ビアの側壁にわたって設けられ、前記第1の配線の側壁と、前記第1の配線の上部と、前記ビアの側壁とを覆うように形成された絶縁膜と、 前記絶縁膜の下層にあって、前記第1の配線の側壁下部に接するとともに、前記絶縁膜よりも膜密度の高い補強絶縁膜と、 を有する配線構造を備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  H01L 21/320
FI (4)：
H01L21/90 J ,  H01L21/90 A ,  H01L21/88 B ,  H01L21/90 N
F-Term (47)：
5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH21 ,  5F033HH25 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ12 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ25 ,  5F033KK11 ,  5F033KK12 ,  5F033KK21 ,  5F033KK25 ,  5F033MM01 ,  5F033MM08 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN01 ,  5F033NN02 ,  5F033NN03 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ27 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ54 ,  5F033QQ70 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR09 ,  5F033RR11 ,  5F033RR21 ,  5F033RR25 ,  5F033RR29 ,  5F033RR30 ,  5F033SS11 ,  5F033SS22 ,  5F033TT04 ,  5F033XX05 ,  5F033XX14 ,  5F033XX24 ,  5F033XX27
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 米国特許第6413852号明細書
Cited by examiner (15)
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