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J-GLOBAL ID：200903061756583390

光抽出を改善するためのテーパーづけ側壁を有するレーザ分離ダイ

Inventor： エリアシェヴィッチ、イワン ,  ゴットフリート、マーク
Applicant, Patent owner： エムコア・コーポレイション
Agent (3)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2002543672
Publication number (International publication number)：2004514285
Application date： Nov. 16, 2001
Publication date： May. 13, 2004
Summary：

LEDなどの個々の光電子デバイスをウェーハから分離する方法は、ある幅を有するレーザビーム(256)を半導体ウェーハの主表面に導くことを含む。レーザビームは、単位幅当り第1のエネルギーの第1の部分と、第1のエネルギーよりも小さい単位幅当り第2のエネルギーの第2の部分とを含むイメージを有する。レーザビームイメージ(266)は、半導体ウェーハの第1の主表面に切り込み、個々のデバイスを製造する。

Claim (excerpt)：

半導体ウェーハからの個々の光電子デバイスの分離方法であって、 ある幅を有するレーザビームを前記ウェーハの第1の主表面に導き、前記デバイス間に位置する前記ウェーハの第1の部分に単位幅当り第1のエネルギーを加え、前記ウェーハの前記第1の部分に隣接する第2の部分に前記第1のエネルギーよりも小さい単位幅当り第2のエネルギーを加えるステップと、 前記第1の主表面を横切るように前記レーザビームをスイープして溝を形成するステップと、 少なくとも1つのデバイスを前記ウェーハから分離するステップと、 を含む、前記方法。

IPC (1)：

H01L33/00

FI (1)：

H01L33/00 C

F-Term (3)：

5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA76

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-152301   Applicant：三洋電機株式会社
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-236483   Applicant：ローム株式会社
• 半導体発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-010135   Applicant：松下電子工業株式会社
• 光学部品及びその加工方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-333465   Applicant：シャープ株式会社
• 光加工法及び光起電力装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-127038   Applicant：三洋電機株式会社
• 微細加工法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-054022   Applicant：株式会社ニコン
• 多層配線板及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-237391   Applicant：松下電工株式会社