半導体基体及びこの製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高野則次
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003143328
Publication number (International publication number)：2004349387
Application date： May. 21, 2003
Publication date： Dec. 09, 2004
Summary：

【課題】LED、ヘテロ接合トランジスタ等の半導体装置のための転移密度の小さい化合物半導体基体を形成することが困難であった。【解決手段】化合物半導体基体10を、シリコン基板11を用意する工程と、前記基板11の表面上に前記基板と異なる材料をエピタキシャル成長させて転位を含むバッファ領域12を得る工程と、前記バッファ領域12の表面上に前記バッファ領域と異なる材料をエピタキシャル成長させ、前記バッファ領域の表面よりも平坦性の悪い表面を有し且つその表面に転位の延びる方向を屈折させることができる多数の突出部16を有している転位屈折領域13を得る工程と、前記転位屈折領域の表面上に前記転位屈折領域と異なる窒化物をエピタキシャル成長させ、前記転位屈折領域の表面よりも平坦性が良く且つ前記転位屈折領域よりも転位密度が小さい平坦化領域14を得る工程で製造する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

化合物半導体装置のための半導体基体の製造方法であって、化合物半導体をエピタキシャル成長させることが可能な基板を用意する工程と、前記基板の表面上に化合物半導体をエピタキシャル成長させて転位を含む可能性を有するバッファ領域を得る工程と、前記バッファ領域の表面上に前記バッファ領域と異なる化合物半導体をエピタキシャル成長させ、前記バッファ領域の表面よりも平坦性の悪い表面を有し且つその表面に転位の延びる方向を屈折させることができる多数の突出部を有している転位屈折領域を得る工程と、前記転位屈折領域の表面上に前記転位屈折領域と異なる化合物半導体をエピタキシャル成長させ、前記転位屈折領域の表面よりも平坦性が良く且つ前記転位屈折領域よりも転位密度が小さい表面部分を有している平坦化領域を得る工程とを備えていることを特徴とする半導体基体の製造方法。

IPC (7)：

H01L21/205 , H01L21/331 , H01L21/338 , H01L29/737 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L33/00

FI (4)：

H01L21/205 , H01L33/00 C , H01L29/80 H , H01L29/72 H

F-Term (42)：

5F003AZ01 , 5F003BF06 , 5F003BM02 , 5F003BM03 , 5F003BP32 , 5F003BZ03 , 5F041AA40 , 5F041CA05 , 5F041CA23 , 5F041CA33 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AF03 , 5F045BB12 , 5F045CA06 , 5F045CA07 , 5F045CA10 , 5F045DA53 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM07 , 5F102GM08 , 5F102GN04 , 5F102GQ01 , 5F102GR04 , 5F102HC01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

発光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-008617 Applicant：サンケン電気株式会社
窒化物半導体から成る単体基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-132670 Applicant：日亜化学工業株式会社
III族窒化物系化合物半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-315955 Applicant：豊田合成株式会社

Show all

Cited by examiner (6)

窒化物半導体から成る単体基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-132670 Applicant：日亜化学工業株式会社
発光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-008617 Applicant：サンケン電気株式会社
III族窒化物系化合物半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-315955 Applicant：豊田合成株式会社

Show all

Return to Previous Page