Pat
J-GLOBAL ID：200903061865015563

スピンバルブ型巨大磁気抵抗薄膜の製造方法

Inventor：
恒川 孝二

About 恒川 孝二

, 
中嶋 大輔

About 中嶋 大輔


Applicant, Patent owner：
アネルバ株式会社

About アネルバ株式会社


Agent (1)： 田宮 寛祉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001278723
Publication number (International publication number)：2003086866
Application date： Sep. 13, 2001
Publication date： Mar. 20, 2003
Summary：
【要約】【課題】 高い磁気抵抗変化率(MR比)と低い層間結合磁界(Hin)を両立するスピンバルブ型巨大磁気抵抗薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】 基板上に緩衝層、反強磁性層、磁化固定層、非磁性伝導層、磁化自由層、保護層が連続的に積層されたスピンバルブ型巨大磁気抵抗薄膜において、所定の積層界面にプラズマ処理を施して磁化固定層と磁化自由層の間に作用する層間結合磁界を低減し、高MR比が得られるようにする。
Claim (excerpt)：
基板上に堆積される緩衝層と、非磁性伝導層とこれを挟む磁化固定層および磁化自由層と前記磁化固定層の隣りに形成される反強磁性層とから成る多層部と、最上位に堆積される保護層とから構成されるスピンバルブ型巨大磁気抵抗薄膜の製造方法において、前記非磁性伝導層と前記緩衝層との間に形成された複数の界面のうち少なくとも1箇所をプラズマ処理することを特徴とするスピンバルブ型巨大磁気抵抗薄膜の製造方法。
IPC (4)：
H01L 43/12 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/08
FI (4)：
H01L 43/12 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/08 Z ,  G01R 33/06 R
F-Term (6)：
2G017AA01 ,  2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  5D034BA03 ,  5D034CA00 ,  5D034DA07
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM