表面改質方法及び表面改質装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (2)：中村茂信 (外1名) , 中村茂信
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999196924
Publication number (International publication number)：2001026887
Application date： Jul. 12, 1999
Publication date： Jan. 30, 2001
Summary：

【要約】【課題】被処理物の周囲におけるプラズマの密度を高くし、任意の形状や大きさの被処理物にもイオンの誘引注入、誘引堆積、誘引衝突を容易に行うことができる表面改質方法を提供する。【解決手段】チャンバ10内に被処理物1を導体11に接続した状態で配置し、チャンバ10内を真空引きすると共にチャンバ10内にガスを導入した上で、導体11に高周波電力を印加して被処理物1の周囲にプラズマを発生させ、導体11を通じて被処理物1に高電圧パルスを印加することで、プラズマ中のイオンを被処理物1に誘引させ、イオンの注入・堆積・衝突を行う。

Claim (excerpt)：

チャンバ内に被処理物を導体に接続した状態で配置し、チャンバ内を真空引きすると共にチャンバ内にガスを導入した上で、被処理物の周囲にプラズマを発生させ、導体を通じて被処理物に高電圧パルスを印加することで、プラズマ中のイオンを被処理物に誘引させる表面改質方法において、前記被処理物に高電圧パルスを印加するための導体に高周波電力を印加することで、被処理物の周囲にプラズマを発生させることを特徴とする表面改質方法。

IPC (2)：

C23F 4/00 , C23C 14/48

FI (2)：

C23F 4/00 A , C23C 14/48 Z

F-Term (13)：

4K029CA10 , 4K029DE00 , 4K057DA01 , 4K057DA16 , 4K057DB01 , 4K057DB20 , 4K057DD01 , 4K057DD02 , 4K057DD09 , 4K057DE14 , 4K057DE20 , 4K057DG15 , 4K057DM06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-302502 Applicant：東京エレクトロン株式会社, 株式会社東芝
プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-045275 Applicant：株式会社日立製作所
プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-212027 Applicant：東京エレクトロン株式会社

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