プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高田幸彦 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997045275
Publication number (International publication number)：1998261498
Application date： Feb. 28, 1997
Publication date： Sep. 29, 1998
Summary：

【要約】【課題】大口径の試料について微細パターンの精密な加工が容易で、また、微細加工時の選択比も向上させたプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】真空処理室10と、この真空処理室内で処理される試料40を配置するための試料台15と、高周波電源16を含むプラズマ生成手段とを有するプラズマ処理装置であって、一対の電極間12,15には、50ないし200MHzのVHF帶電源を印加する高周波電源と、前記高周波電源により前記一対の電極間に生ずる電界と交差する方向に、10ガウス以上110ガウス以下の静磁場もしくは低周波磁場を形成する磁場形成手段とを備え、前記磁場の前記下部電極に沿う方向の成分の最大となる部分が、前記上部電極面上もしくは両電極の中央よりも上部電極側になるように前記磁場形成手段を設定し、前記磁場と前記電界との相互作用により、前記一対の電極間に電子のサイクロトロン共鳴領域を形成する。

Claim (excerpt)：

真空処理室と、一対の電極を含むプラズマ生成手段と、該真空処理室内で処理される試料を載置する試料載置面を有する試料台と、前記真空処理室を減圧する減圧手段とを有するプラズマ処理装置において、前記一対の電極間に、30MHzないし300MHzのVHF帶の高周波電力を印加する高周波電源と、前記高周波電源により前記一対の電極間もしくはその近辺に生ずる電界と交差する方向に、静磁場もしくは低周波磁場を形成する磁場形成手段とを備え、前記一対の電極間に、前記磁場と前記電界との相互作用による電子のサイクロトロン共鳴領域を形成することを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (6)：

H05H 1/46 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , H01L 21/205 , H01L 21/3065 , H01L 21/68

FI (9)：

H05H 1/46 C , H05H 1/46 L , C23C 16/50 , C23F 4/00 G , C23F 4/00 A , C23F 4/00 D , H01L 21/205 , H01L 21/68 R , H01L 21/302 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-140031 Applicant：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
プラズマエッチング装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-035906 Applicant：株式会社日立製作所
プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-193206 Applicant：東京エレクトロン株式会社

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