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J-GLOBAL ID：200903062519427908

はんだ付け方法

Inventor： 大野 恭秀 ,  中森 孝 ,  末永 誠 ,  竹内 達也 ,  加々見 丈二 ,  萩原 泰三
Applicant, Patent owner： 神港精機株式会社
Agent (1)： 木村 正俊
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004040237
Publication number (International publication number)：2005230830
Application date： Feb. 17, 2004
Publication date： Sep. 02, 2005
Summary：

【課題】 品質の良好なはんだ付けを行う。【解決手段】 錫単独または、錫と銀、鉛、銅、ビスマス、インジウム、亜鉛の1つまたは2つ以上の成分とを含む固体状のはんだを有する被処理物が配置された真空室を、真空状態に減圧させ、遊離基ガスを発生させて前記はんだの酸化膜を除去した後、前記遊離基ガスの発生を中止して、無酸化雰囲気で前記はんだをはんだの融点以上の温度にしてはんだを溶融する。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

錫単独または、錫と銀、鉛、銅、ビスマス、インジウム、亜鉛の1つまたは2つ以上の成分とを含む固体状のはんだを有する被処理物が配置された真空室を、真空状態に減圧させ、 その後、遊離基ガスを発生させて前記はんだの酸化膜を除去した後、 前記遊離基ガスの発生を中止して、無酸化雰囲気で前記はんだをはんだの融点以上の温度にしてはんだを溶融する はんだ付け方法。

IPC (5)：

B23K1/20 ,  B23K31/02 ,  B23K35/26 ,  C22C13/00 ,  H05K3/34

FI (5)：

B23K1/20 H ,  B23K31/02 310B ,  B23K35/26 310A ,  C22C13/00 ,  H05K3/34 505A

F-Term (11)：

5E319AA03 ,  5E319AA06 ,  5E319AB05 ,  5E319AC01 ,  5E319AC17 ,  5E319BB04 ,  5E319BB08 ,  5E319BB10 ,  5E319CD21 ,  5E319CD25 ,  5E319GG03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半田付け方法及び半田付け装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-183553   Applicant：神港精機株式会社

Cited by examiner (6)

• 特開昭59-225880
  
• リフロー法とソルダペースト
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-111733   Applicant：須賀唯知, 神港精機株式会社, 千住金属工業株式会社
• 半田付け方法及び半田付け装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-183553   Applicant：神港精機株式会社
• 特開平2-190489
  
• 半導体パッケージの製造方法及び半導体パッケージ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-314936   Applicant：松下電工株式会社
• 半田ボール
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-197096   Applicant：日本電気株式会社