磁気ランダムアクセスメモリ

Inventor： , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (7)：鈴江武彦 , 村松貞男 , 坪井淳 , 橋本良郎 , 河野哲 , 中村誠 , 河井将次
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002340043
Publication number (International publication number)：2004179192
Application date： Nov. 22, 2002
Publication date： Jun. 24, 2004
Summary：

【課題】高書き込み効率と高書き込み再現性を実現する。【解決手段】書き込み線5は、ヨーク材8により被覆される。MTJ素子6の記録層1Aは、ヨーク材8と交換結合している。MTJ素子6の記録層1Aとその記録層1Aと交換結合する部分のヨーク材8とのトータルの磁気ボリューム Σ Msi*ti の値は、書き込み線5を覆うその他の部分のヨーク材8の磁気ボリューム Σ Msi’*ti’ の値よりも小さい。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

データを記録するための第1磁性層を有するメモリセルと、前記第1磁性層に磁界を与えるための書き込み線と、前記書き込み線の全体又は一部を覆う第2磁性層とを具備し、前記第1磁性層は、前記第2磁性層と交換結合し、かつ、前記第1磁性層の第1磁気ボリュームMs1*t1と前記第2磁性層のうち前記第1磁性層に交換結合する第1部分の第2磁気ボリュームMs2*t2との合計値は、前記第2磁性層のうち前記第1部分以外の第2部分の主要部の第3磁気ボリュームMs’*t’の値よりも小さい (但し、Ms1は、前記第1磁性層の飽和磁化、t1は、前記第1磁性層の厚さ、Ms2は、前記第2磁性層の前記第1部分の飽和磁化、t2は、前記第2磁性層の前記第1部分の厚さ、Ms’は、前記第2磁性層の前記第2部分の主要部の飽和磁化、t’は、前記第2磁性層の前記第2部分の主要部の厚さである。)ことを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。

IPC (3)：

H01L27/105 , G11C11/15 , H01L43/08

FI (4)：

H01L27/10 447 , G11C11/15 110 , G11C11/15 120 , H01L43/08 Z

F-Term (6)：

5F083FZ10 , 5F083GA05 , 5F083JA02 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (10)

メモリセル装置及び該メモリセル装置の製造方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-565541 Applicant：インフィネオンテクノロジースアクチエンゲゼルシャフト
磁気メモリ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-036449 Applicant：ソニー株式会社
磁気記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-157484 Applicant：株式会社東芝

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Cited by examiner (10)

メモリセル装置及び該メモリセル装置の製造方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-565541 Applicant：インフィネオンテクノロジースアクチエンゲゼルシャフト
磁気メモリ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-036449 Applicant：ソニー株式会社
磁気記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-157484 Applicant：株式会社東芝

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