AlN単結晶の表面平坦化方法およびAlN単結晶基板の作製方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：吉田茂明 , 吉竹英俊 , 有田貴弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005016591
Publication number (International publication number)：2006206343
Application date： Jan. 25, 2005
Publication date： Aug. 10, 2006
Summary：

【課題】AlN単結晶基板について表面平坦性を確保するとともに結晶品質を改善する方法を提供する。【解決手段】AlN単結晶基板について、例えば平均粒径0.1μmのアルミナ砥粒を10重量%分散させてあり、かつpHがほぼ5から10の間の研磨液を用いて、平均研磨量が1μmとなるような研磨を行う。その後、1500°C以上、好ましくは1600°C以上の温度で該AlN単結晶基板を加熱するアニール処理を行う。これにより、AlN単結晶基板の表面平坦性が改善される。また、研磨処理によって生じる加工変質層がアニール処理によって除去されてなることから、基板上にデバイス層を形成すると、鏡面状態の表面を有し、かつ、研磨処理のみを行った基板に対して形成するよりも結晶品質のよいデバイス層を得ることが出来る。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

AlN単結晶の表面を平坦化する方法であって、 AlN単結晶を研磨する研磨工程と、前記研磨工程を経たAlN単結晶を1500°C以上の温度で加熱する加熱工程と、を備えることを特徴とするAlN単結晶の表面平坦化方法。

IPC (3)：

C30B 29/38 , C30B 33/00 , H01L 21/304

FI (5)：

C30B29/38 C , C30B33/00 , H01L21/304 622D , H01L21/304 622P , H01L21/304 622W

F-Term (9)：

4G077AA03 , 4G077BE13 , 4G077DB08 , 4G077FE06 , 4G077FG12 , 4G077HA02 , 4G077HA06 , 4G077TA04 , 4G077TB05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

III族窒化物結晶の研磨方法およびIII族窒化物結晶および半導体デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-070275 Applicant：株式会社リコー
特許3502319号公報

Cited by examiner (5)

エピタキシャル成長用基板およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-326561 Applicant：日本碍子株式会社
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-343055 Applicant：日本碍子株式会社
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