薄膜デバイス用製造装置および薄膜デバイスの製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002251965
Publication number (International publication number)：2004091821
Application date： Aug. 29, 2002
Publication date： Mar. 25, 2004
Summary：

【課題】熱触媒体に影響されないで、もしくはその影響を小さくして安定した成膜を達成し、これによって高品質かつ高信頼性の積層型薄膜デバイスを提供する。【解決手段】被成膜用基板29上にホットワイヤーCVD法により少なくとも2層を順次積層する薄膜デバイス用製造装置において、先の薄膜の成膜に用いる発熱体の成分に対し、その後の薄膜の成膜に用いる発熱体の成分を違える。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ガス導入部と、このガス導入部より噴き出したガスが通過する発熱体とを備えて、被成膜用気基体上にホットワイヤーCVD法により第1薄膜を被着せしめるように成した反応室と、さらにガス導入部と、このガス導入部より噴き出したガスが通過する発熱体とを備えた他の反応室と、第1薄膜を被着した被成膜用気基体を他の反応室に運ぶ搬送手段とを備えて、他の反応室にて第1薄膜上にホットワイヤーCVD法により第2薄膜を被着せしめるように成した薄膜デバイス用製造装置。

IPC (2)：

C23C16/44 , H01L21/205

FI (3)：

C23C16/44 A , H01L21/205 , H01L31/04 V

F-Term (17)：

2H068EA27 , 4K030AA03 , 4K030AA06 , 4K030BA30 , 4K030BB12 , 4K030FA10 , 4K030LA16 , 4K030LA17 , 5F045AA03 , 5F045AA06 , 5F045AB04 , 5F045AC01 , 5F045CA16 , 5F045HA24 , 5F051AA05 , 5F051CA18 , 5F051CA36

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

光起電力素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-027680 Applicant：キヤノン株式会社
薄膜製造装置および薄膜製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-258336 Applicant：ソニー株式会社, 北陸先端科学技術大学院大学長
半導体装置の製造方法及び製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-234009 Applicant：鐘淵化学工業株式会社

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