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J-GLOBAL ID：200903063755804069

半導体素子製造装置用部材

Inventor：
高坂 祥二

About 高坂 祥二


Applicant, Patent owner：
京セラ株式会社

About 京セラ株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998015832
Publication number (International publication number)：1999214365
Application date： Jan. 28, 1998
Publication date： Aug. 06, 1999
Summary：
【要約】【課題】ハロゲン化ガスやそのプラズマに対して優れた耐食性を具備しつつ、腐食の進行によってパーティクルが発生しても、半導体製造に対して悪影響を及ぼすことのない半導体製造装置用耐食性部材を提供する。【解決手段】半導体ウエハに対してCF4 、SF6 、BCl3 などのハロゲン系ガス或いはそのプラズマにより処理を施し高集積回路素子等の半導体素子を製造するための装置内に設置される部材であって、少なくとも前記ハロゲン系ガス或いはそのプラズマに曝される表面を、相対密度が97%以上、最大結晶粒子径が前記半導体素子における配線パターンの最小線幅よりも小さい、特に200nm以下である耐食性セラミックスによって形成する。
Claim (excerpt)：
半導体ウエハに対してハロゲン系ガス或いはそのプラズマにより処理を施し半導体素子を製造するための装置内に設置される部材であって、少なくとも前記ハロゲン系ガス或いはそのプラズマに曝される表面が、相対密度97%以上、最大結晶粒子径が前記半導体素子における配線パターンの最小線幅よりも小さい耐食性セラミックスによって形成されていることを特徴とする半導体素子製造装置用部材。
IPC (4)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/68
FI (4)：
H01L 21/302 B ,  H01L 21/02 Z ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/68 N
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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