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J-GLOBAL ID：200903063784709105

半導体装置の製造方法

Inventor：
橋本 圭市

About 橋本 圭市


Applicant, Patent owner：
沖電気工業株式会社

About 沖電気工業株式会社

, 
宮城沖電気株式会社

About 宮城沖電気株式会社


Agent (1)： 飯塚 雄二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006087155
Publication number (International publication number)：2007266167
Application date： Mar. 28, 2006
Publication date： Oct. 11, 2007
Summary：
【課題】 ACエッジを緩やかとし、トレンチ上端部におけるディボットの発生を防ぎ、電解集中を良好に緩和すること。 【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上に第1の酸化膜を形成する工程と;前記第1の酸化膜上にシリコン窒化膜を形成する工程と;前記第1の酸化膜及びシリコン窒化膜をエッチングすることにより、前記半導体基板に達する開口部を形成する工程と;ラジカル酸化により、前記開口部における前記半導体基板上と、前記シリコン窒化膜表面と、前記シリコン窒化膜の前記開口部内の側面とに第2の酸化膜を形成する工程と;前記開口部における前記半導体基板上及び、前記シリコン窒化膜表面上の前記第2の酸化膜を除去する工程と;前記シリコン窒化膜及びその側壁の前記第2の酸化膜をマスクとして、前記シリコン基板に溝(トレンチ)を形成する工程と;前記溝内部に第3の酸化膜を形成する工程とを含むことを特徴とする。 【選択図】図1
Claim (excerpt)：
半導体基板上に第1の酸化膜を形成する工程と; 前記第1の酸化膜上にシリコン窒化膜を形成する工程と; 前記第1の酸化膜及びシリコン窒化膜をエッチングすることにより、前記半導体基板に達する開口部を形成する工程と; ラジカル酸化により、前記開口部における前記半導体基板上と、前記シリコン窒化膜表面と、前記シリコン窒化膜の前記開口部内の側面とに第2の酸化膜を形成する工程と; 前記開口部における前記半導体基板上及び、前記シリコン窒化膜表面上の前記第2の酸化膜を除去する工程と; 前記シリコン窒化膜及びその側壁の前記第2の酸化膜をマスクとして、前記シリコン基板に溝(トレンチ)を形成する工程と; 前記溝内部を第3の酸化膜で埋め込む工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1)：
H01L 21/76
FI (1)：
H01L21/76 L
F-Term (17)：
5F032AA13 ,  5F032AA34 ,  5F032AA44 ,  5F032AA45 ,  5F032AA77 ,  5F032BB01 ,  5F032CA17 ,  5F032DA03 ,  5F032DA04 ,  5F032DA23 ,  5F032DA24 ,  5F032DA25 ,  5F032DA30 ,  5F032DA33 ,  5F032DA53 ,  5F032DA74 ,  5F032DA78
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (6)
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-071567   Applicant：株式会社東芝
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-286731   Applicant：松下電器産業株式会社
  • 半導体装置及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-178863   Applicant：株式会社日立製作所, トレセンティテクノロジーズ株式会社
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