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J-GLOBAL ID：200903058716244206

半導体装置およびその製造方法

Inventor：
井上 真雄

About 井上 真雄


Applicant, Patent owner：
三菱電機株式会社

About 三菱電機株式会社


Agent (1)： 深見 久郎 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001211030
Publication number (International publication number)：2003031796
Application date： Jul. 11, 2001
Publication date： Jan. 31, 2003
Summary：
【要約】【課題】 良好なトランジスタ特性を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1の活性領域がトレンチ分離によって電気的に分離されている。このトレンチ分離は、溝3と、溝3の内壁に形成されたシリコン酸化膜4と、シリコン酸化膜4と半導体基板1との間に形成された酸化防止膜6と、溝3内を埋め込む埋め込み酸化膜7とから構成されている。ゲート酸化膜8は、水素ラジカルおよび酸素ラジカルの少なくとも1つが発生するような酸化力の強い酸化によって形成される。これにより、ゲート酸化膜8は酸化防止膜6の真上領域の膜厚TA1とゲート電極層9の真下領域の膜厚TB1とが略同一となるような均一な膜厚で形成される。
Claim (excerpt)：
半導体基板の主表面に溝を形成する工程と、前記溝の内壁に沿って酸化防止膜を形成する工程と、前記溝を埋め込むように充填層を形成する工程と、水素ラジカルおよび酸素ラジカルの少なくとも1つが発生するような雰囲気中で酸化力の強い酸化を施すことにより、前記半導体基板の主表面にゲート酸化膜を形成する工程とを備えた、半導体装置の製造方法。
IPC (7)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (5)：
H01L 21/316 S ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 21/76 L ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371
F-Term (48)：
5F032AA35 ,  5F032AA44 ,  5F032AA45 ,  5F032AA46 ,  5F032CA17 ,  5F032CA23 ,  5F032DA03 ,  5F032DA04 ,  5F032DA23 ,  5F032DA33 ,  5F032DA53 ,  5F032DA74 ,  5F032DA78 ,  5F058BA06 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BF63 ,  5F083EP02 ,  5F083EP23 ,  5F083EP45 ,  5F083ER22 ,  5F083GA27 ,  5F083NA01 ,  5F083PR03 ,  5F083PR12 ,  5F083PR21 ,  5F083PR33 ,  5F083PR40 ,  5F101BA07 ,  5F101BA23 ,  5F101BA35 ,  5F101BB05 ,  5F101BD34 ,  5F101BD35 ,  5F101BH03 ,  5F101BH05 ,  5F140AA08 ,  5F140AA19 ,  5F140AC32 ,  5F140BA01 ,  5F140BE07 ,  5F140BG37 ,  5F140BK13 ,  5F140CB04 ,  5F140CB10 ,  5F140CE07
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
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