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J-GLOBAL ID:200903063925868083
樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994215239
Publication number (International publication number):1996064725
Application date: Aug. 18, 1994
Publication date: Mar. 08, 1996
Summary:
【要約】【目的】 電子回路が集積、形成された半導体チップをトランスファーモールド法により樹脂で封止した半導体装置によって、ICカードやメモリカード用パッケージ等に最適な薄型の樹脂封止型半導体装置を提供する。【構成】 半導体チップの電極上にバンプまたはAuボールを形成し、該バンプまたはAuボールをモールド樹脂の表面に露出させる。【効果】 パッケージの厚さを、従来の各種方式に比べて薄くすることができるので、メモリカードなどへの多段実装、ISO規格のカードへの実装が可能となる。また、パッケージサイズをチップと同サイズとすることができるので、実装面積を小さくすることができ、高密度実装が可能になる等の効果が得られる。
Claim (excerpt):
半導体チップの電極上にバンプまたはAuボールを形成し、該バンプまたはAuボールをモールド樹脂の表面に露出させたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
IPC (6):
H01L 23/28
, B42D 15/10 521
, H01L 21/304 331
, H01L 21/56
, H01L 21/301
, H01L 21/321
FI (2):
H01L 21/78 Z
, H01L 21/92 604 J
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (10)
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特開昭56-167350
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特開平2-049460
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特開平3-104141
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特開平3-154344
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半導体装置の実装方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-216589
Applicant:シチズン時計株式会社
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樹脂封止型半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-201965
Applicant:三菱電機株式会社
-
半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-211207
Applicant:ソニー株式会社
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半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-244416
Applicant:株式会社日立製作所
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電子部品
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-293852
Applicant:オムロン株式会社
-
半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-308598
Applicant:三菱電機株式会社
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